硅基氮化铝薄膜风致振动MEMS能量采集单元.pdfVIP

第 21卷 第 12期 光学 精密工程 VoI．21 No．12 2Ol3年 l2月 OpticsandPrecisionEngineering Dec．2013 文章编号 1004—924X(2013)l2305808 硅基氮化铝薄膜风致振动 MEMS能量采集单元 尚正国 ，李东玲，温志渝，赵兴强 (重庆大学光电工程学院，重庆400044) 摘要 ：研究了基于氮化铝(AIN)薄膜的压 电式风致振动微机 电系统 (MEMS)能量采集单元的制备工艺 。采用脉冲直流 磁控溅射的方法制备了具有 (002)择优取 向的 AIN压 电薄膜 ，并通过 x射线衍射仪 (xRD)及扫描 电镜 (SEM)表征 了 A1N薄膜的性能。测试结果表 明：种子层材料、气体流量比和衬底温度等对 AIN薄膜晶体取 向及薄膜性能有重要影响。 制备的具有 (002)择优取 向的AIN薄膜的衍射强度达到10count，半高宽为 2．7。。对硅基 A1N风致振动 MEMS能量采 集单元加工工艺流程进行优化 ，制备出了风致振动能量采集系统原理样机 。风洞实验表 明，在 15．9m／s的风载荷作用 下，MEMS能量采集单元的最大输出功率为 1．6 w。该工艺亦可用于其他硅基A1N薄膜MEMS器件的制备。 关 键 词 ：风致振动 ；MEMS能量采集；硅基氯化铝薄膜；衍射强度 ；摇摆 曲线 中图分类号 ：TK83；()484．1 文献标识码 ：A doi：10．3788／OPE3058 Flow--induced—。vibrationM EM Senergy harvestingunitbasedonAIN film in silicon SHANC-Zheng—guo，LIDong—ling，W EN Zhiyu，ZHAO Xing—qiang (CollegeofOptoElectronicEngineering，ChongqingUniversity ，Chongqing400044，China) *C0rre 0 gauthor，E-mail：zhengry@cqu．edu．cn Abstract：A flow—inducedvibrationM icro—electronic-mechanicSystem (M EM S)energyharvestingunit basedonanAluminum nitride(A1N)film onthesiliconwaspresented．TheA1N film withcrystalori— entation(002)waspreparedbyDC—pulsemagnetronsputteringanditsperformancewascharacterized bytheX—rayDiffraction(XRD)andtheScanningElectronMicroscopy(SEM )．Theresultsshow that thecrystalorientationandperformanceoftheA1N film aredependedontheseedlayermaterials，gas flow ratioand thesubstratetemperature，itscrystalorientationis (002)，and itsintensityandFull W idthatHalfMaximum (FW HM )are105countsand2．7。，respectively．Theprototypeoftheflow— induced—vibrationMEM S energyharvestingunitwaspresentedafteroptimizingprocessflow．The windtunnelexperimentsshow thatthemaximum poweroutputoftheflow—induced—vibrationM EMS energyharvestingunitisabout1．6uW wh