硅基底的 CVD 扩磷工艺研究.pdfVIP

第 37卷 第2期 合肥 工业 大 学学报 (自然科学版) Vo1．37NO．2 2014年 2月 JOURNALOFHEFEIUNIVERSITYOFTECHNOLOGY Feb．2014 Doi：10．3969／j．issn．1003—5060．2014．02．016 硅基底的CVD扩磷工艺研究 杨 旭 ， 何晓雄 ， 胡冰冰， 马志敏 (合肥工业大学 电子科学与应用物理学院，安徽 合肥 230009) 摘 要：文章利用化学气相沉积(CVD)扩磷的方法 ，在单晶硅基底上进行扩磷工艺研究。采用 X射线光 电子能谱分析扩磷硅基底，通过原子力显微镜观察扩磷时间和温度对硅基底表面形貌的影响，并利用半导体 特性测试仪研究扩磷时间和温度对硅基底 特性的影响。结果表明，扩磷温度和时间对硅基底的表面粗糙 度和晶粒的平均尺寸影响较大 ，扩磷时间越长、温度越高，硅基底的电学特性越明显。 关键词：硅基底；扩磷工艺；表面形貌；化学气相沉积 中图分类号：TN305．4 文献标识码：A 文章编号：1003—5060(2014)02—019204 CVD phosphorusdopingprocessonsiliconsubstrate YANG Xu， HEXiao-xiong， HU Bing-bing， MA Zhi—min (SchoolofElectronicScienceandAppliedPhysics，HefeiUniversityofTechnology，Hefei230009，China) Abstract：Phosphorusdopingprocessesonsinglecrysta|linesiliconsubstratewerestudiedbychemica1 vapourdeposition(CVD)．First，theX-rayphotoelectronspectroscopy(XPS)wasusedtoanalyzethe phosphorusdopedsiliconsubstrate．Theinfluenceofphosphorusdopingtemperatureandtimeonthe surfacemorphologyofsiliconsubstratewasobtainedbytheatomicforcemicroscope(AFM )．Andthe semiconductorcharacteristictesterwasusedtoanalyzetheinfluenceofphosphorusdopingtempera— tureandtimeonthe propertyofsiliconsubstrate．Theresultsindicatethatthephosphorusdoping temperatureandtimeinfluencethesurfaceroughnessandtheaveragegrainsizeofsiliconsubstrate． Thetimeofphosphorusdopingislonger，thetemperatureofphosphorusdopingishigher，andthee— lectrl’calcharacteristicsofsiliconsubstratearemoreobvious． Keywords：siliconsubstrate；phosphorusdopingprocess；surfacemorphology；chemicalvapourdepo— sition(CVD) 单晶硅的主要用途是用作半导体材料、利用 calvapourdeposition，简称 CVD)扩磷工艺参数 太阳能光伏发电和供热等_1_3j。单晶硅具有完整 和性能进行研 究。首先用 CVD 法对单 晶 Si 性好、纯度高、资源丰富、技术成熟、工作效率稳定 (100)基底进行磷掺杂，改变扩磷时间和温度。用 和使用寿命长等优点L4]。20世纪 70年代 以前， 原子力显微镜(AFM)观察