CeKNSBN在红光波段光栅记录和擦除动态特性.PDFVIP

第 14 卷 哈尔滨师范大学自然科学学报 Vol. 14,No.2 1998 第 2期 NAT URAL SCIENCES JOURNAL OF HARBIN NORMAL UNIVERSITY Ce: KNSBN 陈宇星 关 军 李艳秋 ( 哈尔滨理工大学) ( 哈尔滨工业大学) = 本文通过研究Ce: NSBN 晶体在红光波段光栅记录和擦 除动态特性指出该晶体在红光波段电子- 空穴竞 比较激烈。响应时间 和光强的关系为S WI - x , x = 0. 85; 衍射效率随光强的增加而增加, 这 r 表明该晶体中存在浅陷阱效应。 :Ce: NSBN 晶体; 电子- 空穴竞 ; 浅陷阱效应 0 引言 NSBN 晶体 我国首创的、具有优良光折变性能的新型光折变材料,有关这种晶体的 二波耦合特性、自泵浦相位共轭特性已得到广泛的研究[ 1- 3] 。但其在红光波段的光栅记录 和擦除动态特性以及浅陷阱效应尚未见报道。本文通过研究Ce: NSBN 晶体在红光波段 光栅记录和擦除动态特性指出该晶体在红光波段电子- 空穴竞争比较激烈。响应时间和光 强的关系为S WI - x , 数值模拟可知x = 0. 85,衍射效率随光强的增加而增加, 这表明该晶 r 体中存在浅陷阱效应。这项研究对理解 NSBN 晶体在红光波段的光折变中心和电荷迁移 机制具有重要的意义。 1 实验装置与结果 实验装置如图1所示。两束波长为633nm, 水平偏振的相干光以2H角入射 NSBN 晶 体, 晶体光轴+ C 方向如图所示。同时打开两束记录光,开始记录光栅,稳定的饱和光栅记 录后, 挡上其中一束光, 由另一束写入光擦除光栅。用波长为633nm,垂直偏振的弱光I p 读 出并监测光栅的建立和衰减过程。 2 在写入光强I S0= I R0= 90mW/ cm , 2H= 50b时, 测量 Ce: NSBN 晶体光栅建立和擦除 动态特性如图2 所示。AC 表示光栅的写入过程。记录饱和光栅后,挡上I S0, 由I R0擦除光 栅,其光栅衰减的动态过程标记为CR, 挡上I R0 。由I S0擦除光栅, 其光栅衰减的动态过程 - 1 标记为CS。定义衍射效率上升到饱和值的1- e 所需的时间为光栅写入响应时间, 衍射 收稿日期: 1998- 01- 16 转载 中国科技论文在线 第2 期 Ce: NSBN 在红光波段光栅记录和擦除动态特性 45 - 1 效率衰减到饱和值的e 时所需要的时间定义为其衰减时间常数。 按上述定义和规定, 由AC 过程求得Ce: NSBN 晶体的写入响应时间为S = 70s,挡上