东南大学自动化学院微机系统与接口教学课件第四章1.pptVIP

第四章 半导体存储器(Semi-conductor Memory) 主要内容 存储介质的类别和特点 半导体存储器(ROM/RAM/FLASH)（概念） *半导体存储器连接应用(时序) IBM-PC系列机MEM的内存组织 微机系统结构:存储器与I/O 系统互联 存储介质的类别和特点 存储器（计算机实现大容量记忆功能的核心部件） ?存储记忆信息（按位存放） 位(BIT)存放--具有记忆功能： 应用：程序/数据信息：读写/数据－按地址顺序编号 电路: (锁存器/触发器--寄存器在微处理器内部) 磁: 磁化 光: 凹坑(激光反射) 性能:容量、存取速度、成本 内/外部存储器－－高速存储／低速I/O－海量低成本 与MPU接口:串/并行Serial/Parallel 半导体存储器的性能指标 容量=字数(存储单元数)×字长 ==位数(bits) 微机（8/16/32/64位字长） 兼容8位机==字节BYTE为单位 62C256：（256Kbits）32K*8B 27C010：1M位（128K*8Bit）128KB(字节) 27C210：1M位（64K*16Bit） 最大存取时间 访问一次存储器（对指定单元写入或读出）所需要的时间 几ns到几百ns 27C512-15?150ns PC100SDRAM-8:8ns, PC133SDRAM-7ns 半导体存储器分类 根据运行时存取（读写）过程的不同分类 随机存取存储器(RAM) 随机存取存储器（RAM：Random Access Memory）可以随时从任一指定地址读出/写入数据。其存储单元可以是静态的（触发器），也可以是动态的（电容），因此有静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）之分。 优点：读、写方便，使用灵活； 缺点：一旦掉电，存储信息易消失。 静态随机存取存储器（SRAM）特点 1.基本存储电路主要由R—S触发器构成，其两个稳态分别表示存储内容为“0”或为“1”，电源供电?存入的数据才可以保存和读出，掉电?原存信息全部丢失?所谓“易失性”（volatile)。(相对非挥发Nonvolatile) 2.一个基本存储电路能存储一位二进制数，而一个八位的二进制数则需八个基本存储电路(数据宽度－字长＝８）。一个容量为M×NB（如64K×8B）的存储器则包含M×N个基本存储电路。这些大量的基本存储电路有规则地排列在一起便构成了存储体区分不同的存储单元?每个单元规定一个地址号。?读写(Read-Write)/访问(Access) 地址译码 存储器系统中每个存储单元一般存放8位二进制信息，区分——给存储单元分配不同的地址。 地址译码器：接受CPU送来的地址信号并对它进行译码，选择与此地址码相对应的存储单元，以便对该单元进行读／写操作。 RAM单元工作原理—(单选)读/写 RAM 6管单元存储电路(双选) 能访问27*29=128*512=65536个不同单元 地址译码输出线只有128+512=640根65536 每个基本的存储单元由六个MOS管构成 RAM 6管单元存储电路(双选) T1-T4双稳态电路 T1管（A）的状态表示1/0 T3，T4：负载 RAM 6管单元存储电路(双选) 写入操作： 如要写入“1”，则I/O线为高电平，使A=“1”，B=“0”，强迫T2管导通，Tl管截止，相当于把输入电荷存储于Tl的栅级。 当输入信号及地址选择信号消失之后，T5、T6、T7、T8都截止。由于存储单元有电源及负载管，可以不断地向T1栅极补充电荷，依靠两个反相器的交叉控制，只要不掉电，就能保持写入的信息“1”，而不用刷新。 RAM 6管单元存储电路(双选) 读出操作： 只要某一单元地址被选中，相应的T5、T6、T7、T8均导通，A点与B点分别通过T5、T6管与D及/D相通，又进一步通过T7、T8管与I/O及线I/O相通，即将单元的状态传送到I/O及I/O线上。 ——读出过程是非破坏性的 RAM存储器芯片举例 HM6116: 16K位=2K*8B—X:7/Y:4(A0-A3) 211 4KB存储器内部结构:行X列Y双译码 SRAM芯片外围电路组成 地址译码器 对外部地址信号译码，用以选择要访问的单元。n个地址信号译码max?2n个输出状态。 A0-12?213，I/O0-7 8位， 片内译码 I/O电路：存储器 (处理器-读写器) WE（WR）、OE（RD）、 CE或 CS（CS） WE#（WR#