硅基导电薄膜制备过程的光谱诊断Spectroscopic diagnosis of the preparation of silicon based conductive film.pdfVIP

Classified Index: Code: 10075 U.D.C NO: 033567 A Dissertation for the degree of M.Science Spectroscopy Diagnostics of the Growth Process of Conductive Films on Si Substrate Candidate: Qiao Xiao-dong Supervisor: Prof. Zhao Qing-xun Academic Degree Applied for: Master of Science Specialty: Plasma Physics University: Hebei University Date of Oral Examination: June 2006 摘 要 摘 要 磁控溅射是一种被广泛用于各种薄膜制备的物理气相沉积技术，它主要涉及粒子的 碰撞、分解、激发、电离及其在电磁场中非线性输运等复杂过程，以及输运到衬底的成 膜粒子在衬底上的成核、扩散、生长等非平衡过程。 本实验采用朗谬尔双探针和光发射谱诊断方法，研究在硅基上生长导电薄膜过程 中，各种参数与等离子体环境变化的关系，其主要结果包括：（1）通过双探针的测量， 得到了基片附近的电子温度在 2~3eV 左右，等离子体平均电子密度的数量级为 1011cm-3 ， 当气压在范围 8~10Pa 变化时，电子密度发生突变。（2 ）利用光发射谱的方法对单质铜 薄膜生长进行诊断，发现功率为 80W 时，气压低于 5Pa 适合生长多晶和非晶薄膜；气 压大于 10Pa 适合生长晶态薄膜，并能保证所制备薄膜的重复性。光谱空间分辨的结果 表明：当射频功率在 60W~90W 范围内基片上方的鞘层厚度呈非线性变化，低于 50W 时 鞘层厚度为 5~7mm；由谱线计算得到的电子激发温度为 0.2~0.6eV 。（3 ）对 Ti-Al 薄膜 生长过程进行诊断的结果发现：在功率为 80W 气压低于 6Pa 时适合生长多晶和非晶薄 膜；气压大于 10Pa 时，气压的变化基本不影响 Ti-Al 薄膜的组分比例。（4 ）在射频放电 制备 LaNiO3 （LNO ）薄膜的过程中，60W 时应控制气压小于 6Pa；功率大于70W 时， 激发态镍原子的组分基本保持不变；功率 50W~60W 时，气压4~6Pa 范围内的激发态氧 离子的组分基本保持不变。（5 ）直流放电制备LNO 薄膜时，功率恒定而气压大于 10Pa 的条件下，激发态镍原子的组分基本不随气压的增加而发生变化；气压一定时，激发态 镍原子的组分则随功率的增加呈线性增加。 关键词：磁控溅射，朗谬尔探针，发射光谱 I Abstract Abstract Magnetron sputtering is a kind of physical vapor deposition (PVD) method that has been broadly used to fabricate a variety of thin films. The sputtering processes mainly refer to the complex process of the collision, dissolution, excitation, ionizatio