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硅单晶物理测试（Ⅰ） 江瑞生 2009.10.16 硅单晶物理测试 导电类型 电阻率 少数载流子寿命 晶体缺陷 晶向 氧含量 导电类型 温差电动势法 整流法 温差电动势法 冷热探笔法 冷笔室温，热笔头部为60°圆锥，加热10∽15W，电绝缘，保持温度40∽60℃。探笔材料：不锈钢。 整流法 金属半导体接触涉及阻挡层的整流理论。总之，正向电流都相应于多数载流子由半导体到金属的所形成的电流。 金属与p-Si形成整流接触时，Si正金属负为正向通流方向，相反是反向阻流方向。 金属与n-Si形成整流接触时，情况相反。 点接触整流法 其他方法 温差电动势法 讨论 理论计算，杂质浓度↑→emf↓，即：ρ↑→ emf ↑ ，但ρ↑→ R↑ ，最终ρ↑→ 温差电流↓，所以冷热探笔法对低阻材料敏感。 整流法不适用于低阻，因为金属与低阻硅常构成欧姆接触。 要求表面无反型、无氧化、清洁无油污。 热笔温度40-60℃为宜，不可过高，否则，本征激发，成n型。 点接触压力要小，几克即可；大面积欧姆接触要压紧。 电阻率 电阻率为材料内平行于电流方向的电位梯度与电流密度之比。 电阻率是是电导率的倒数，数值上等于长一厘米、截面一平方厘米的材料的电阻，单位为?·cm。 室温下，杂质全电离时，n型硅电阻率可以表示为： 电阻率测量方法 两探针法 四探针法（4点探针法） 扩展电阻法（展阻探针法） 涡流法 范德堡法 CV法 两探针 两探针法测锗锭 晶体横截面面积沿晶体长度方向上有变化时，S要采用测量点位置处的横截面面积。 区熔锗锭截面形状为上面带弧形的梯形或球冠形，其面积如何确定是关键。 本公司采用面积修正系数法，由称重法结合晶体几何参数求得面积修正系数，将面积修正系数引入到电阻率计算公式，解决了区熔锗锭截面面积的确定。 方法要点 区熔锗锭头粗尾细，横截面面积沿长度线性变化但形状不变。设锗锭的最大宽度和最大高度从头部的B和H沿长度线性变化到尾部的b和h，则晶体中部截面外切矩形的面积为： 讨论 实际测点位置与n等分后对应测点位置有差别，因而测点处的面积与计算公式中的面积不同，使电阻率计算值受影响。?S很小时，影响可忽略不计。 由称重法求出的等效面积的位置略偏离锗锭中心。当头部和尾部最大高度差和最大宽度差都很小时，此位置差别可完全忽略。 宽度和高度的线性变化将导致截面面积的非线性变化，但在宽度和高度线性变化总量很小的情况下，可认为截面面积也是线性变化的。 还原锗锭也可使用本法进行测量。 本方法原则上对任何形状的横截面积均适用。 四探针法 本法是测量半导体电阻率的常用方法。它是一种绝对测量法，不需要定标，还经常为其他方法提供标准。 基本假设 ⑴ 半无限大，⑵ 电阻率均匀。 点电流源通过样品，电流线均匀辐射状分布，等位面为半球面。 硅片电阻率的测量 四探针法测薄层电阻 W： 圆片的厚度； D： 圆片的直径； S： 探针间距； F2(D/S) 直径修正系数； F(W/S)：厚度修正系数； FSP： 探针间距修正因子: 四探针法测圆片电阻率 在具有一定厚度的圆片的中心位置上测量硅圆片电阻率的计算公式为： 直径修正系数表 厚度修正系数表（国标） 厚度修正系数计算公式 方形排列四探针 用四探针测量电阻率时，四根探针不一定排成一条直线，从原理上说，可排成任何几何图形。普通用得较多的是正方形排列。这种排列的四探针的优点是可以减小测量区域。 四探针双位组合测量（双电流法四探针测量) 温度修正 在室温左右的温度范围内，硅电阻率随温度上升而上升。温度改变是由于环境温度的改变或测量电流产生焦耳热。 通常电阻率是指23℃时的电阻率，要在恒温室中测量。否则应进行温度修正。 设在温度T下测得电阻率为?(T)，从温度修正系数表中查出相应的温度系数CT，按下式计算温度修正系数FT： FT =1-CT(T-23) 然后按下式计算修正到23℃的电阻率?(23)： ?(23)=?(T)?FT 温度修正范围为18-28℃。 温度系数表（国标） 温度修正：讨论 温度修正：讨论 2 硅薄层电阻 用四探针法测薄层硅的薄层电阻时，按照国标GB/T14141-93及SEMI标准MF374-1105中的规定，不进行温度修正。 3 锗晶体电阻率 用四探针法测棒块锗单晶电阻率及用两探针法测锗锭电阻率时，按照国标GB/T1552-1995