无电沉积高密度钯金属纳米线阵列.PDFVIP

V o l. 25 高 等 学 校 化 学 学 报 　 N o. 11　 2 0 0 4 年 11 月 　　 　　　　　CH EM ICAL JOU RNAL O F CH IN E SE UN IV ER S IT IE S　　　　　 　　 1986～ 1989　 无电沉积高密度钯金属纳米线阵列 顾金楼, 施剑林, 熊良明 ( 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室, 上海 200050) 摘要　利用介孔氧化硅薄膜作为模板, 通过无电沉积路线在介孔薄膜孔道内合成了高密度钯金属纳米线阵 列. 利用介孔薄膜导向剂的疏水区作为载体, 引进钯金属疏水化合物并经热解和还原, 得到钯微粒, 以此为 催化中心引发无电沉积, 避免了传统无电沉积复杂的工艺过程. 结果表明, 纳米线尺寸均一, 长径比大于 60, 完全填充了介孔薄膜的孔道, 并可通过介孔模板孔径的选择对纳米线直径加以调控. 关键词　无电沉积; 钯纳米线阵列; 介孔薄膜; 模板法 中图分类号　 644. 16　　　　文献标识码　 　　　　文章编号　025 10790 (2004) O A [ 1 ] 金属纳米线及其阵列具有优越的物理和化学性质, 并可作为量子结构器件的构成单元 . 目前制 [2 ] [3 ] [4 ] 备金属纳米线有电沉积 、溶胶凝胶 和模板合成 等多种方法, 其中模板合成方法可以根据需要设 [ 5 ] [ 6 ] 计、组装多种纳米结构的阵列, 从而得到常规体系不具备的新物性 . 有序多孔氧化铝 和无序多孔 [7 ] 高分子 常作为纳米线合成的模板, 但由于这些材料孔径太大, 不能充分发挥材料的量子尺寸效应. 作为一种新型的有序纳米孔径阵列模板, 介孔氧化硅薄膜的孔径在 2～ 20 nm , 孔道平行, 大小均一, [ 8, 9 ] [ 10 ] 并可通过导向剂的选择进行调节