杨素行__第三版_模拟电子技术基础简明教程课件_第1章.ppt

课程综述 模电、数电-电自动化等专业电子技术方面的技术基础课 前继课: 电路 后续课: 电力电子、微机（单片机）原理等等 60学时课堂教学，20学时（9个实验，一次考试）实验 学习方法：认真听课、做作业；注重实验；借助电子电路仿真软件：Multisim10 D P型衬底 N+ N+ B G S VGG VDD P型衬底 N+ N+ B G S D VGG VDD P型衬底 N+ N+ B G S D VGG VDD 夹断区 图 1.4.11　UDS 对导电沟道的影响 (a) UGD UT (b) UGD = UT (c) UGD UT 3. 特性曲线 (a)转移特性 (b)输出特性 ID/mA UDS /V O 预夹断轨迹 恒流区 可变电阻区 UGS UT ，ID = 0； 　　UGS ≥ UT，形成导电沟道，随着 UGS 的增加，ID 逐渐增大。 (当 UGS UT 时) 　　三个区：可变电阻区、恒流区(或饱和区、放大区)、截止区。 UT 2UT IDO UGS /V ID /mA O 图 1.4.12 (a) 图 1.4.12 (b) 截止区 二、N 沟道耗尽型 MOS 场效应管 P型衬底 N+ N+ B G S D ++++++ 　　制造过程中预先在二氧化硅的绝缘层中掺入正离子，这些正离子电场在 P 型衬底中“感应”负电荷，形成“反型层”。即使 UGS = 0 也会形成 N 型导电沟道。 ++++++ ++++++ 　　UGS = 0，UDS 0，产生较大的漏极电流； 　　UGS 0，绝缘层中正离子感应的负电荷减少，导电沟道变窄，ID 减小； 　　UGS = - UP , 感应电荷被“耗尽”，ID ? 0。 UP 称为夹断电压 图 1.4.13 N 沟道耗尽型 MOS 管特性 工作条件： UDS 0； UGS 正、负、零均可。 ID/mA UGS /V O UP (a)转移特性 IDSS 图 1.4.15　MOS 管的符号 S G D B S G D B (b)漏极特性 ID/mA UDS /V O +1V UGS=0 -3 V -1 V -2 V 4 3 2 1 5 10 15 20 图 1.4.14　特性曲线 增强型 绝缘 栅型 N 沟道 耗尽型 结型 P 沟道 耗尽型 结型 N 沟道 漏极特性 转移特性 符 号 种 类 S G D ID UGS= 0V + UDS + + o S G D B UGS ID O UT 表 1-2　各类场效应管的符号和特性曲线 + UGS = UT UDS ID + + + O ID UGS= 0V - - - UDS O UGS ID UP IDSS O UGS ID /mA UP IDSS O S G D 耗尽型 增强型 绝缘 栅型 P 沟道 耗尽型 绝缘 栅型 N 沟道 漏极特性 转移特性 符 号 种 类 ID S G D B UDS ID _ UGS=0 + _ _ O ID UGS UP IDSS O ID UGS UT O ID UGS UP IDSS O _ ID UGS=UT UDS _ o _ UGS= 0V + _ ID UDS o + S G D B ID S G D B ID 1.4.3　场效应管的主要参数 一、直流参数 饱和漏极电流 IDSS 2. 夹断电压 UP 3. 开启电压 UT 4. 直流输入电阻 RGS 为耗尽型场效应管的一个重要参数。 为增强型场效应管的一个重要参数。 为耗尽型场效应管的一个重要参数。 　　输入电阻很高。结型场效应管一般在 107 ? 以上，绝缘栅场效应管更高，一般大于 109 ?。 一、输入特性 (1) UCE = 0 时的输入特性曲线 Rb VBB c e b IB + UBE _ VBB IB + UBE _ b c e O IB/?A 当 UCE = 0 时，基极和发射极之间相当于两个 PN 结并联。所以，当 b、e 之间加正向电压时，应为两个二极管并联后的正向伏安特性。 图 1.3.7(上中图)　 图 1.3.8(下图)　 　　(2) UCE 0 时的输入特性曲线 　　当 UCE 0 时，这个电压有利于将发射区扩散到基区的电子收集到集电极。 UCE UBE，三极管处于放大状态。 * 特性右移(因集电结开始吸引电子) O IB/?A UCE ≥ 1 时的输入特性具有实用意义。 IB UCE IC VCC Rb VBB c e b RC V ? + V ? + ?A ? + + ? mA UBE 　　* UCE ≥ 1 V，特性曲线重合。 图 1.3.6　三极管共射特性曲线测试电路 图 1.3.8　三极管的输入特性 二、输出特性 图