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模拟电子电路第7章小结
6.1半导体导电和导体导电的主要差别有哪几点?
答:半导体导电和导体导电的主要差别有三点,一是参与导电的载流子不同,半导体中有电子和空穴参与导电,而导体只有电子参与导电;二是导电能力不同,在相同温度下,导体的导电能力比半导体的导电能力强得多;三是导电能力随温度的变化不同,半导体的导电能力随温度升高而增强,而导体的导电能力随温度升高而降低,且在常温下变化很小。
6.2杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的?杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比,哪个大?为什么?
答:杂质半导体中的多数载流子主要是由杂质提供的,少数载流子是由本征激发产生的,由于掺杂后多数载流子与原本征激发的少数载流子的复合作用,杂质半导体中少数载流子的浓度要较本征半导体中载流子的浓度小一些。
解:晶体管正常工作时,发射结电压硅管为0.7V左右,锗管为0.3V左右,由此可先确定哪二个极是基极和发射极,剩下的一个极则是集电极。另外,由于集电结反偏,因此,对PNP型晶体管,集电极电位最低,对NPN型晶体管,集电极电位最高。
(1)U23=0.7V,1是集电极,U1最大,因此,晶体管是NPN型硅管,这样2是基极,3是发射极。
(2)U23=0.3V,1是集电极,U1最小,因此,晶体管是PNP型锗管,2是发射极,3是基极。
(3)U32=0.3V,1是集电极,U1最小,因此,晶体管PNP型锗管,2是基极,3是发射极。
解:晶体管的安全工作区是:
UCEU(BR)CEO,ICICM,P=UCEICPCM,
现在P1=30mW, P2=80mW
, P3=200mW,
因此,第一种情况下,晶体管正常工作,
第二种情况下,ICICM,
第三种情况下,PPCM,
第二、第三种情况下晶体管均不能正常工作。
一.判断题
(1)本征半导体是指没有掺杂的纯净晶体半导体()
(2)空间电荷区内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成( )
(3)二极管外加正向电压增大时,其内电场增强( )
(4)只要稳压管两端加反向电压就能起稳压作用( )
(5)处于放大状态的晶体管,其发射极电流是多子扩散运动形成的(),其集电极电流是多子漂移运动形成的( )
(6)晶体管工作在放大状态时,发射极电位最低,集电极电位最高( )
(7)晶体管工作在截止状态时,发射极电位最低,集电极电位最高( )
(8)晶体管工作在饱和状态时,发射结反偏( )
二.填空题
1.N型半导体是在本征半导体中掺入(),P型半导体是在本征半导体中掺入()
2.PN结加正向电压,由()形成电流,其耗尽层(),加反向电压,由()形成电流,其耗尽层(),
3.在外加正向电压时,理想二极管导通阻抗为(),在外加反向电压时,理想二极管截止阻抗为()
4晶体三极管的三个工作区分别为()()()
一.判断题
1.任何放大电路都能放大电压();放大电流();放大功率()
2.放大电路中输出电流和电压都是由有源元件提供的()
3.放大电路的输入电阻与信号源内阻无关(),输出电阻与负载无关()
二.填空题
1.直流通路是指在_作用下_流经的通路,交流通路是指在_作用下_流经的通路.画直流通路时,_可视为短路,_可视为开路;画交流通路时_和_可视为短路.
2.共射放大电路的特点_较大,共基放大电路的特点_较宽,共集电极放大电路的特点_较大.
3. 两个放大倍数相同的放大电路A和B,分别对同一电压信号进行放大,其输出电压分别为UOA=5.2V,UOB=5V,由此可得出放大电路_优于放大电路_,原因是_
三.改错题(改一处错误,使得能够放大正弦信号)
四.普通放大电路分析
已知:VCC=12V,β=50,Rb=470 kΩ,Re=1 kΩ,Rc=3.9kΩ,RL = 3.9 kΩ。求:(1)用估算法求静态工作点;(2)画出其微变等效电路;
(3)求电压放大倍数、输入电阻Ri、输出电阻Ro 。
五.典型静态工作点稳定电路分析已知三极管为硅管,其β=50,Rb1=10kΩ,Rb2=20kΩ,Rc=2 kΩ,Re=2 kΩ,RL=4 kΩ,电容C1、C2、Ce足够大。求:(1)静态工作点Q;(2)电压放大倍数、输入电阻、输出电阻;
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