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第四讲 晶体三极管 一、三极管的结构和符号 晶体管的连接方式 放大电路一般为四端网络，根据公共端的不同，晶体管构成的电路有三种连接方式： 二、晶体管的放大原理 （一）三个区的特点（以NPN型为例） 1) 发射区是掺杂质浓度比集电区大的 N型半导体，电子浓度很大； 2） 基区很薄，为掺杂质很少的 P 型半导体。 3） 集电极面积大，保证尽可能多的收集到发射区发射的电子。 晶体管的放大原理 电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 2、输出特性 晶体管的三个工作区域 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数 讨论一  判断电路中二极管的工作状态，UD=0.7V，求解输出电压。 讨论二 讨论三 讨论四 讨论五 * * 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入、输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数 多子浓度高 多子浓度很低，且很薄 面积大 晶体管有三个极、三个区、两个PN结。 小功率管 中功率管 大功率管 为什么有孔？ 第二章 晶体管及基本放大电路/2.1 半导体晶体管 IC I E I E IC IB I C I B I C IB （共发射极） （共集电极） （共基极） T 放大作 用的内部 条件 （二）载流子运动规律及电流分配关系 当一个 NPN 型的晶体管接成共射极接法的放大电路时： 发射结正向偏置 集电结反向偏置 T 放大作用 的外部条件 扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。 平衡少子漂移运动 因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区 因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合 因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区 基区空穴的扩散 1.发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE。（发射结加正向电压且杂质浓度高，所以大量自由电子因扩散运动到达基区：同时空穴也扩散到发射区） 2.扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流IB。（基区很薄，杂质浓度低，集电结又加了反向电压所以到达基区的电子只有极少部分可以与空穴复合） 3.集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流IC。（由于集电结加反向电压且结面积较大，到达基区的自由电子除去参与复合的其余在外电场的作用下越过集电结到达集电区，形成集电极电流IC，同时集电区少子也会在外电场作用下产生漂移，但数量很少，近似分析中可忽略不计） 穿透电流 集电结反向电流 共射直流电流放大系数 共射交流电流放大系数 为什么UCE增大曲线右移？ 对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。 为什么像PN结的伏安特性？ 为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？ 1、输入特性 β是常数吗？什么是理想三极管？什么情况下 ? 对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。 为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？ 饱和区 放大区 截止区 晶体管工作在放大状态时，输出回路电流 iC几乎仅仅决定于输入回路电流 iB；即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。 ≤ uBE ＜βiB ≥ Uon 饱和 ≥ uBE βiB ≥ Uon 放大 VCC ICEO ＜Uon 截止 UCE IC UBE 状态 直流参数： 、 、ICBO、 ICEO c-e间击穿电压 最大集电极电流 最大集电极耗散功率，PCM＝iCuCE 安全工作区 交流参数：β、α、fT（使β＝1的信号频率） 极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO 判断二极管工作状态的方法？ 方法：断开二极管，并以它的两个极作为端口，利用戴维南定理求解端口电压；若该电压使二极管正偏则导通，否则截止。 1. V＝2V、5V、10V时二极管中的直流电流各为多少？ 2. 若输入电压的有效值为5mV，则上述各种情况下二极管中的交流电流各为多少？ V 较小时应实测伏安特性，用图解法求ID。 Q ID V＝5V时， V=10V时， uD=V-iR 清华