噪声非线性及等比例缩小.PDF

Institute of RF- OE-ICs Southeast University 第四章噪声、非线性及等比例缩小 引言 噪声(Noises) 非线性(Nonlinearities) 特征频率和单位功率增益频率 等比例缩小与短沟道效应 第四章 东南大学射光所 李智群 1 Institute of RF- OE-ICs Southeast University 引言 噪声 普遍存在于电子元件、器件、网络和系统中，噪声会损害所需信号的质量， 影响接收机可以处理的最小信号的能力（灵敏度）。 非线性 由于晶体管都是非线性的，因此放大器本质上都是非线性的。非线性影响接 收机可以处理的最大信号的能力。 动态范围 接收机可以处理的最小信号和最大信号决定了接收机的动态范围。 CMOS工艺等比例缩小 随着集成电路工艺的特征尺寸不断缩小，晶体管的工作频率越来越高，其最 高工作频率由特征频率和单位功率增益频率来反映。现代半导体工业中 CMOS工艺占支配地位的两个最主要原因是CMOS逻辑的零静态功耗和MOS 管能够按比例缩小。缩小器件尺寸可以减小元件寄生电容、提高器件速度、 降低功耗、提高芯片集成度和降低成本。 第四章 Z. Q. LI 2 Institute of RF- OE-ICs Southeast University 噪声 噪声类型 噪声是一种随机过程，用概率密度函数(PDF)和功率谱密度(PSD)来描述。 ─ 电阻的热噪声(Thermal Noise) 热噪声是由导体中电子的随机运动引起的，它会引起导体两端电压的波 动，热噪声谱密度与绝对温度成正比。 2 -23 v 4kTR 其中R 为电阻，k为波尔茨曼常数，k=1.38×10 J/K n ─散弹噪声(Shot Noise) 散弹噪声由载流子经过PN结时产生，电路模型为一个并联的电流源 2 i 2qI -19 n 其中I为电流，q为电子电荷，q=1.6×10 C ─ 闪烁噪声(Flicker Noise, 1/f Noise) 闪烁噪声主要由晶格的缺陷产生，电路模型为一个并联的电流源 i2 KI a / f b 其中I 为电流，a在0.5到2之间，b约为1 n 2 2 v 2 i 的单位为A2/Hz 。 n 的单位为V /Hz ，n 2 2 v i ─ 和 其它表示法是将它们的表达式乘以带宽Δf 。 n n 第四章 Z. Q. LI 3 Institute of RF- OE-ICs Southeast University 噪声 噪声模型 ─ 电阻的热噪声 电阻的噪声电压均方值 v2 4kTRΔf