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ZnO基稀磁半导体的设计和制备

ZnO基稀磁半导体 的设计和制备 汇报人 岑嘉宝 电子科学与技术系 项目简介 指导老师  江建军 教授 项目组长  岑嘉宝(05级)  项目成员  刘鹏 王亮 马波涛(05级)        夏海涛(04级) 资助额度  5000元 起始时间  2007.1-2008.6 项目的诞生 主要研究内容 运用软件计算出材料的磁性特征及结构 采取磁控溅射及PLD方法来制备含磁性金属的ZnO半导体的薄膜材料。 通过XRD,TEM,VSM等试验手段进行材料的检测。表征材料的基本的结构和材料磁性的来源. 设计高居里温度的材料并且优化其他的磁学性能 项目预期成果 完成两篇关于半导体掺杂方面的理论研究的论文。 制备一组具有不同的性质的ZnO半导体薄膜材料。 为开发室温半导体的应用打下基础。 项目管理方法 认真记录 分工明确,团队协作  一人负责项目管理、理论研究、论文撰写  两人负责软件计算、理论研究  两人负责理论研究、实验制备、材料检测 定期讨论(每两周一次) 定期向老师汇报(每月一次) 项目进展 1.综述《ZnO基稀磁半导体的研究》 《kkr方法研究ZnO基稀磁半导体过渡族   金属元 素(TM)共掺杂体系》 2.实验方案制定:  脉冲沉积法(PLD)制备ZnO掺杂TM  (Ni、Co、Fe、Mn)薄膜  磁控溅射法制备Al-N共掺杂ZnO薄膜. 3.实验准备  联系武汉大学的实验室  联系我校的测试分析中心  购买靶材等实验材料并做好实验前的计算 感想 要珍惜这个参与项目的机会,要主动学习 团队里要加强沟通,要发挥每个同学的专长,才以致用 厚积才能薄发,要打下深厚的学术基础地能更好地做好项目 * *   国家大学生创新性实验计划   国家大学生创新性实验计划 项目研究的意义   1.ZnO基半导体材料是新型稀磁半导材     料,有优良的磁学性能及光学性能。      2.优质的Zn0薄膜具有带隙宽、介电常     数低、机电祸合系数大、温度稳定性     好等特点. 3.易于与多种半导体材料实现集成化,应     用前景十分广阔.   4.用量子学软件计算其磁性来源及分子结 构是当前领域的前沿方法,在这方面曾     诞生一名诺贝尔获得者.   国家大学生创新性实验计划   国家大学生创新性实验计划 大学生创新性实验计划通知 江建军老师的实际科研项目《稀磁半导体材料磁性起源的研究》 《材料设计》的课程设计     强烈的参与实验科研的   兴趣和愿望 = ZnO基稀磁半导体的设计和制备项目   国家大学生创新性实验计划   国家大学生创新性实验计划   国家大学生创新性实验计划 (1)1月——3月   阅读文献,学习固体电子学、半导体电子学等相关的   课程,有条理地进行理论的学习,撰写文献综述。 (2)4月——7月   继续文献学习,购买或借阅书籍,加强理论学习。同   时学习软件(Material studios ,wien2k,kkr)。 (3)8月——9月   前阶段主要研究(TM)掺杂,本阶段主要研究Al-N掺   杂的DMS。同时,确定具体的实验方案. (4)10月~   实验阶段:   准备材料,联系本校与武大的实验室,现已开始做实验.   国家大学生创新性实验计划 中期成果   国家大学生创新性实验计划 ZnO的结构图 ZnO采用(P63mc) 186号空间群, a=3.248,c=5.204 ZnO的能带结构   国家大学生创新性实验计划 ZnO掺杂TM金属的态密度   国家大学生创新性实验计划 下阶段项目任务 1.完成实验  PLD制备ZnO掺杂TM(Ni、Co、Fe、Mn)  薄膜、磁控溅射法制备Al-N共掺杂ZnO  薄膜,完成相关的分析 2.研究稀土元素掺杂ZnO的研究 3.撰写论文并结题   国家大学生创新性实验计划 遇到的问题   1.磁性计算   我们计算了掺杂Co、Fe、Ni、Mn   的态密度,能级结构等,但与一些   文献上存在冲突,还需进一步验证。      2.试验检测   实验检测条件的限制,在VSM和   部分检测手段上面存在着问题。   国家大学生创新性实验计划 收获 把所学知识应用于实践中,提高动手能力. 通过与研究生、博士的交流和导师的指导,  及时解决问题,了解专业的动态. 为读研及继续深造打下很好的基础  (如选择方向、项目研究经验等)。 团队里队友的友谊   国家大学生创新性实验计划 *

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