微电子器件可靠性专题讲座+上.pptVIP

微电子器件可靠性专题讲座 1、什么是微电子器件可靠性？ 2、半导体可靠性物理学研究领域 3、电迁移 4、CMOS电路中的闩锁效应 5、静电放电ESD损伤及其防护 6、浪涌EOS引起的失效 7、集成电路的可靠性设计 专题讲座教学目的 可靠性技术是与国民经济和国防科技工业密切相关的新兴学科，世界各发达国家均对此学科予以高度重视，与此相比，我国从学科建设到可靠性工程的发展都与国外发达国家存在明显差距，为扭转这一局面，本课程教学目的是为了大力发展本专业人才对可靠性技术的培训，提高本专业人才的素质培养。 使用教材：[1]《微电子器件可靠性》 Microelectronic Device Reliability 史保华、贾新章、张德胜编著 出版日期：1999-11 ? 本教材的参考学时数为45学时。全书共9章，其主要内容为：概述；可靠性数学基础； 失效物理；失效分析；可靠性设计；工艺可靠性； 可靠性试验；使用可靠性； 可靠性管理 。 本书为高等学校电子信息类微电子技术专业硕士研究生教材，也可作为相应专业高年级学生及从事微电子器件可靠性工作的工程技术人员的阅读参考书。 1、什么是微电子器件可靠性？ 可靠性的定量表征 瞬时失效率(失效率)l (t) 电子元器件的失效规律 可靠性的定量表征 可靠性：产品在规定的条件下和规定的时间内，完成规定功能的能力。 规定条件：环境条件（温度、湿度、气压、盐雾、辐射等气候环境和振动、冲击、碰撞、跌落、离心等机械环境）、负荷条件（电、热、力等应力条件）和工作方式（连续工作或间断工作）。 规定的时间：可靠性是时间的函数。 既使用了三个规定来描述可靠性仍是定性的，要准备描述可靠性，就要用可靠性数学特征（函数）的描述。 瞬时失效率(失效率)l (t) ［教材464页］ 失效率是指产品在时刻t尚未失效的器件在单位时间内失效的概率，它用来描述在各个时刻仍在正常工作的器件失效的可能性。记作l (t) ?(t)为常用特征函数，单位：1/h、%/(1000 h)、10-9/h(非特) Fit（非特）是由Failure Unit 中的F与it组成，是失效率的一种单位，1非特= 10-9/h。 对不可维修的产品的平均寿命是指从开始投入工作，至产品失效的时间平均值。也称平均失效前时间，记以MTTF，它是英文（Mean Time To Failure）的缩写。 对可维修产品而言，其平均寿命是指两次故障间的时间平均值，称平均故障间隔时间，习惯称平均无故障工作时间，用MTBF记之，它是英文（Mean Time Between Failures）的缩写。 为了抓好电子元器件可靠性问题，必须对电子元器件全寿命周期中各个环节进行控制。元器件的全寿命周期大致可划分为两个大的阶段，第一个阶段是元器件出厂前的设计制造阶段，第二个阶段是元器件出厂后交由用户使用直至元器件失效的阶段。从可靠性的角度来看，实际制造过程中决定的元器件本身具有的可靠性特性，称之为“固有可靠性”；而器件交付使用后，由于电路的工作条件、环境条件、人为因素等引发的可靠性问题，通常称之为“使用可靠性”或称“应用可靠性”。由此，应用可靠性所研究的范围包括元器件从选择直至失效的整个过程的有关可靠性因素。 2、半导体可靠性物理学研究领域 什么是半导体可靠性物理学？ 半导体可靠性物理学的研究任务 半导体可靠性物理学主要的研究内容 半导体可靠性物理学产生过程 研究半导体器件可靠性的意义 失效应力与失效模式的相关性 过电：pn结烧毁、电源内引线烧毁、电源金属化烧毁 静电：MOS器件氧化层击穿、输入保护电路潜在损伤或烧毁 热：键合失效、Al-Si互溶、pn结漏电 热电：金属电迁移、欧姆接触退化 高低温：芯片断裂、芯片粘接失效 低温：芯片断裂 失效发生期与失效机理的关系 早期失效：设计失误、工艺缺陷、 材料缺陷、筛选不充分 随机失效：静电损伤、过电损伤 磨损失效：元器件老化 随机失效有突发性和明显性 早期失效、磨损失效有时间性和隐蔽性 集成电路的失效模式是指“怎样失效”的问题，失效机理是“为什么失效”的 问题，这两个问题也是失效分析工作的核心问题。 按照不同的划分标准，集成电路的失效分类也有很多。按照失效的场合可分为 现场失效和实验失效。按照失效的起源可分为自然失效和人为失效。按照失效的性质可分为电性失效、内在失效和外来失效。 1. 电性失效一般是随机发生，直接与设备或设计相关的问题引起，或者在操作 或运输途中静电放电造成的。最根本的原因都是电路的电压