微加速度计设计实例.pptVIP

微加速度计设计 一、压阻式微加速度计的工作原理 二、硅材料的选择 (a)和(b)为悬臂梁式结构，优点是灵敏度高，但其一阶固有频率低，频率响应范围窄，且横向灵敏度较大。 (c)～(g)为固支梁结构 ，其一阶固有频率比悬臂梁式结构高得多，有利于扩大传感器的频率响应范围。但在电桥中压敏电阻数量相同的情况下，其灵敏度低于悬臂梁式结构。 (g)图所示的四边八梁结构横向灵敏度最低，但其输出灵敏度也最低。 综合考虑，所要设计的传感器采用 双端四梁结构(e)，该结构在保证一定的输出灵敏度的基础上能够较好地解决横向灵敏度的问题。 边界约束主要考虑加工工艺的影响，根据某加工单位的实际加工水平提出的约束条件如下： 2) 梁宽（b1）： b1=80μm； 3) 梁长（L1） ： L1 =1000μm； 4) 梁厚（h1）： h1=30μm； 5) 质量块厚度（h2） h2=395μm; 由于要在同一批工艺中同时实现复合量程微加速度计中的四个结构，因此四个结构中质量块的厚度、梁的厚度必须一致。 结构静力学分析主要用来分析由于稳态外载荷所引起的系统的位移、应力和应变，其中稳态载荷主要包括外部施加的力和压力、稳态的惯性力如重力。 在该结构设计时，在结构上加载满量程加速度值（如为0-100g量程的结构，在进行静力学分析时加载100g的加速度），查看结果时，主要判断梁上的最大等效应力值是否超过硅材料的弯曲强度(80MPa)。 2.静力学分析 结构等效应力分布云图 3.路径分析 在静态求解之后通过路径分析来判断梁上的应力是否线性分布，在得到梁上应力的线性分布区域之后，在应力值最大的线性区域放置压敏电阻。 应力的线性分布区域为距离梁根部和端部20um的范围内。为了最大限度地同时满足传感器灵敏度与线性度要求，选择压敏电阻的放置区域为距离梁根部和端部20um。在每个电阻得放置位置处选取三条路径，分析电阻位置处的应力分布情况，求出电阻位置的平均横向应力与纵向应力值。 4. 输出灵敏度分析 电桥的输出电压 输出灵敏度 5.横向输出灵敏度分析 分别在x、y轴向加载100g的加速度，求解惠斯通电桥的输出电压，得到x、y方向的横向灵敏度 6. 阻尼的分析与设计 在系统中添加粘滞流体，利用流体为结构提供阻尼力可以降低结构的振动幅值，避免结构因共振而损坏。 将梁-质量块结构等效为弹簧、阻尼器、质量块构成的二阶单自由度振动系统 ，如图所示。经分析，得 c k m 加速度计等效模型 阻尼的设计可以通过静电键合技术，在硅结构层的下面制作玻璃盖板实现。由流体力学的雷诺方程可知，调节质量块-玻璃盖板间距可以调节阻尼参数。 其中 7.抗过载能力分析与设计 硅结构层包括框架、质量块和四根梁 ；下层为玻璃结构。静电键合间距为5um。以量程为100g的结构为例进行抗过载性能的仿真与分析。 当作用在结构上的加速度载荷 g时，质量块在z方向上 振动的最大位移量达到5um，起到了限位保护作用。 微加速度计结构示意图 第三阶段 工艺设计与仿真 加工复合量程微加速度计的整套工艺流程包括硅工艺流程、玻璃工艺流程和键合划片工艺流程三部分。 一、硅工艺 1、备片：N型(100)硅片 2、形成P-电阻区 3、形成P+欧姆接触区 4、第一次KOH背腔腐蚀365μm，形成背腔 5、第二次KOH背腔腐蚀5μm，减薄质量块 6、正面光刻引线孔 7、正面溅射金属铝 8、以铝为掩模，正面ICP 30um，释放结构 9、正面光刻将铝层图形化做出导线 a) 形成P-区 b) 形成P+区 c) 形成N+区 d) 第一次背腔腐蚀 e) 第二次背腔腐蚀 f) 形成引线孔 g) 铝金属引线、释放结构 P- SiO2 P+ N+ Si3N4 凹槽 Si Al 硅加工工艺流程 B离子注入，形成P-区 浓硼掺杂，形成P+区 第一次背腔腐蚀365微米 第二次背腔腐蚀5微米 正面ICP刻蚀释放结构 二、玻璃工艺与静电键合 玻璃工艺所用的材料为Plan-optik Borofloat 33玻璃，厚度为525μm。通过一次光刻在质量块正下方的玻璃上刻蚀出电极，在键合位置形成金属指状结构，使硅结构和玻璃结构等电位，以避免质量块在键合过程中被吸合。。随后将玻璃结构与硅结构通过静电键合制作在一起，最终得到复合量程微加速度计。 传感器结构简图 三、版图设计 复合量程微加速度计的整体结构 共九张版图，分别为P-压阻版、P+欧姆接触版、N＋版、背腔版1、背腔版2、引线孔版、金属引线版、正面穿