第二篇缺陷.pptVIP

5. 带电缺陷 　　对于离子晶体，取走一个正离子，即生成一个正离子空位，可以认为是取走一个中性原子，同时又引入一个电子，因此正离子空位带负电荷 而取走一个负离子，即生成一个负离子空位，可以认为是取走一个中性原子及一个电子(即引入一个电子空隙)，因此负离子空位带正电荷 如NaCl晶体，可以标记为： 原子空位不带电；而离子空位必然伴随过剩电子或正电空穴，后者被束缚（局限）于空位之中形成带电空位缺陷 其它带电缺陷： 　1) CaCl2加入NaCl晶体时，若Ca2+离子位于Na+离子位置上，其缺陷符号为CaNa · ，此符号含义为Ca2+离子占据Na+离子位置，带有一个单位正电荷。 2) CaZr,,表示Ca2+离子占据Zr4+离子位置，此缺陷带有二个单位负电荷。 其余的缺陷VM、VX、Mi、Xi等都可以加上对应于原阵点位置的有效电荷来表示相应的带电缺陷。 6. 缔合中心 电性相反的缺陷距离接近到一定程度时，在库仑力作用下会缔合成一组或一群，产生一个缔合中心， VM ’和VX ·发生缔合,记为（VM ’ VX · ）。 总结符号规则： P 缺陷种类：缺陷原子M 或 空位 V C 有效电荷数 P ’ 负电荷 · 正电荷 （ 中性） 缺陷位置 （i 间隙） Max. C = P 的电价 – P上的电价 有效电荷≠实际电荷。 对于电子、空穴及原子晶体，二者相等； 对于化合物晶体，二者一般不等。 注： 二、缺陷反应表示法 基本方法： 将缺陷看作化学物质来处理，则缺陷及浓度可用热力学数据来描述，适用于质量作用定律 写缺陷反应方程时，必须遵循以下原则： （1）位置关系： 在化合物MaXb中，无论是否存在缺陷，其正负离子位置数（即格点数）的之比始终是一个常数a/b，即：M的格点数/X的格点数?a/b。如NaCl结构中，正负离子格点数之比为1/1，Al2O3中则为2/3。 注意： 位置关系强调形成缺陷时，基质晶体中正负离子格点数之比保持不变，并非原子个数比保持不变。 在上述各种缺陷符号中，VM、VX、MM、XX、MX、XM等位于正常格点上，对格点数的多少有影响，而Mi、Xi、e，、h·等不在正常格点上，对格点数的多少无影响。 形成缺陷时，基质晶体中的原子数会发生变化，外加杂质进入基质晶体时，系统原子数增加，晶体尺寸增大；基质中原子逃逸到周围介质中时，晶体尺寸减小。 （2）质量平衡：与化学反应方程式相同，缺陷反应方程式两边的质量应该相等。需要注意的是缺陷符号的右下标表示缺陷所在的位置，对质量平衡无影响。（V的质量=0） （3）电中性：电中性要求缺陷反应方程式两边的有效电荷数必须相等，晶体必须保持电中性 。 2. 缺陷反应实例 （1）杂质（组成）缺陷反应方程式──杂质在基质中的溶解过程 杂质进入基质晶体时，一般遵循杂质的正负离子分别进入基质的正负离子位置的原则，这样基质晶体的晶格畸变小，缺陷容易形成。在不等价替换时，会产生间隙质点或空位。 对于杂质缺陷而言，缺陷反应方程式的一般式： 例2·写出CaO加入CoO中的缺陷反应方程式 杨为中 无机材料物理化学－晶格缺陷 杨为中 无机材料物理化学－晶格缺陷 杨为中 无机材料物理化学－晶格缺陷 * * 第二章 晶体结构缺陷 理想晶体（平面示意图）： 具有平移对称性 所有原子按理想晶格点阵排列 二维情况：局部格点破坏导致平移对称性的破坏——无法复制整个晶体 晶体缺陷 Vacancy Interstitial STM图显示表面原子 存在的原子空位缺陷 自然界中理想晶体是不存在的 缺陷只是晶体中局部破坏 统计学原子百分数，缺陷数量微不足道 如：20℃时，Cu的空位浓度为3.8×10-17 缺陷比例过高→晶体“完整性” 破坏。此时的固体便不能用空间点阵来描述，也不能被称之为晶体，这便是材料中的另一大类别：非晶态固体 另一方面，结构缺陷的存在，对晶体的生长、晶体物化及机械性质却有较大的影响 例如：半导体导电性质几乎完全由外来杂质原子及缺陷决定 陶瓷烧结－物质传质－缺陷 磁性材料磁化性能受位错等缺陷及运动影响 离子晶体颜色来自于晶体缺陷 故研究结构缺陷的存在及其运动规律十分必要 晶体结构缺陷的类型 分类方式： 　几何形态：点缺陷、线缺陷、面缺陷等 　形成原因：热缺陷、杂质缺陷、非化学计量缺 陷, 一、按缺陷的几何形态分类 本征缺陷 杂质缺陷 点缺陷 零维缺陷 线缺陷 一维缺陷 位错 面缺陷 二