集成运放 共集电极及共基极放大.ppt

(4-*) 集成电路: 将整个电路的各个元件做在同一个半导体基片上。 集成电路的优点： 工作稳定、使用方便、体积小、重量轻、功耗小。 集成电路的分类： 模拟集成电路、数字集成电路； 小、中、大、超大规模集成电路； ? ? 集成运放的内部结构及特点 (4-*) 集成电路内部结构的特点： 1. 电路元件制作在一个芯片上，元件参数偏差方向一致，温度均一性好。 2. 电阻元件由硅半导体构成，范围在几十到20千欧，精度低。高阻值电阻用三极管有源元件代替或外接。 3. 几十 pF 以下的小电容用PN结的结电容构成、大电容要外接。 4. 二极管一般用三极管的发射结构成。 (4-*) UEE +UCC u+ uo u– 反相 输入端 同相 输入端 T3 T4 T5 T1 T2 IS 原理框图： 输入级 中间级 输出级 与uo反相 与uo同相 (4-*) 对输入级的要求：尽量减小零点漂移,尽量提高 KCMRR , 输入阻抗 ri 尽可能大。 对中间级的要求：足够大的电压放大倍数。 对输出级的要求：主要提高带负载能力，给出足够的输出电流io 。即输出阻抗 ro小。 集成运放的结构 （1）采用四级以上的多级放大器，输入级和第二级一般采用差动放大器。 （2）输入级常采用复合三极管或场效应管，以减小输入电流，增加输入电阻。 （3）输出级采用互补对称式射极跟随器，以进行功率放大，提高带负载的能力。 (4-*) R2 T3 R1 R3 -UEE +UCC ui2 uo E RC T1 RC T2 ui1 T4 IC =IC1+ IC2 = ?1 IB + ?2(1+ ?1 ) IB = [?1 + ?2(1+ ?1 ) ]IB 为减小IB， 提高输入电阻，T1、T2采用复合三极管 ? = IC / IB = ?1 + ?2(1+ ?1 ) ? ?1 ?2 IC IB IE ?1 ?2 ? IC1 IC2 IB2 (4-*) -UEE +UCC E RC T1 RC T2 T5 T6 RC3 RE2 RC4 RE3 T7 T9 T8 RE4 RE5 T11 T10 RL 第4级：互补对称射极跟随器 差动放大器 第2级 第1级：差动放大器 第3级：单管放大器 – + 集成运放内部结构（举例） 极 性 判 断 (4-*) ri 大: 几十k? ? 几百 k? 运放的特点： KCMRR 很大 ro 小：几十 ? 几百? A o 很大: 104 ? 107 理想运放： ri ? ? KCMMRR ? ? ro ? 0 Ao ? ? 运放符号： ＋ － u－ u+ uo － ＋ ＋ u－ u+ uo ? Ao 国际符号 国内符号 (4-*) 一、开环差模电压放大倍数Aod 无外加反馈回路的差模放大倍数。一般在105 ? 107之间。理想运放的Aod为?。 二、共模抑制比KCMMR 常用分贝作单位，一般100dB以上。 三、差模输入电阻rid ri1M?, 有的可达100M?以上。 四、输出电阻ro ro =几?-几十?。 集成运放的主要性能指标 (4-*) 五、最大共模输入电压UIcmax 六、最大差模输入电压UIdmax 七、-3dB带宽fH 运放是直流放大器， 也可放大低频信号，不适用于高频信号。 还有其他一些反映运放对成性、零漂等的参数。不再一一介绍。 关于集成运放的应用下面分三个章节介绍。其中运放都是作为理想运放来处理。 (4-*) 电子技术 结束 模拟电路部分 (4-*) 电子技术 差动放大器与 集成运算放大器 模拟电路部分 (4-*) 差动放大器与 集成运算放大器 差动放大电路 集成运放的内部结构及特点 集成运放的主要性能指标 (4-*) ui RC1 R1 T1 差动放大电路 增加R2 、RE2 : 用于设置合适的Q点。 问题 1 :前后级Q点相互影响。 +UCC uo RC2 T2 R2 RE2 1 直接耦合电路的特殊问题 (4-*) 问题 2 :零点漂移。 前一级的温漂将作为后一级的输入信号，使得当 ui 等于零时， uo不等于零。 ui RC1 R1 T1 +UCC uo RC2 T2 R2 RE2 uo t 0 有时会将信号淹没 (4-*) 一、结构 特点：结构对称。 2 基本型差动放大器 ui1 ui2 uo RC R1 T1 RB RC R1 T2 RB (4-*) 二、 抑制零漂的原理 uo= UC1 - UC2 = 0 uo= (UC1 + ?uC1 ) - (UC2 + ?uC2 ) = 0 当 ui1 = ui2 =0 时： 当温度变化时： +UCC uo ui1 RC R1 T1 RB RC R1 T2 RB