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第14卷，第12期Vol. 14 ， No. 12电子与封装ELECTRONICS PACKAGING总 第140期2014年12月 第14卷第12期批处理离子注入机台锥角效应及注入角度 对产品的影响朱红波1，周祖源2，何永根2，秦宏志1（1. 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，北京 100176； 2. 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，上海 201203）摘要：研究主要聚焦在批处理离子注入机台的沟道效应和锥角效应，以及阐述由于这些效应导致的 晶圆片上的均匀性问题和产品上的良率损失。对于高能量离子注入，如果离子注入角度设定为0°会导 致严重的沟道效应，但是大角度设定又会导致光刻胶的阴影效应，所以对于注入角度的选取需要尽量 小。对于越来越先进的半导体工艺技术，线宽越来越小，合适角度设定将显得尤其关键。运用二次离 子质谱分析研究了控片上离子注入的分布，通过产品电性合格测试全片多点验证，表明了沟道效应和 锥角效应的综合影响；得出了对于不同锥角机台合适的离子注入角度设定。 关键词：批处理离子注入机；锥角效应；沟道效应；均匀性中图分类号：TN306文献标识码：A文章编号：1681-1070（2014）12-0037-05Cone Angle Effect of Batch Type Implanter and Implant Angle Selection to Prevent from Production Non-uniformityZHU Hongbo1 , ZHOU Zuyuan2, HE Yonggen2, QIN Hongzhi1（1. Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corp., Beijing 100176, China；2. Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corp., Shanghai 201203, China）Abstract: The study focus on the channeling effect and cone angle effect of ion implantation as processed on batch type implanter, the within wafer uniformity and production yield impact are also investigated. It’s well know that for high energy implantation, low tilt angle is necessary to avoid photoresist shadowing, but too low, like zero degree IMP angle will cause worse dopant channeling. The proper implantation angle setting is critical to move the advanced CMOS devices to smaller and smaller dimension. In the work, different angle conditions of implantation are used both on blank control wafers and production pattern wafers. These wafers were analyzed by SIMS(Secondary Ion Mass Spectroscopy) and WAT(Wafer Acceptance Test) respectively. The results showed the reasonable and practicable IMPangle setting to be selected.Key words: batch type implanter; cone angle effect; channeling effect; uniformity1引言进入300 mm晶圆的大批量生产以来，大部分生 产机台基本完成了从批处理机台向单片处理机台的转换。对于离子注入机台，现在只剩下高能量离子 注入还有部分保留批处理机台，在可预见的将来， 它们也会逐步进入单片处理机台时代。离子注入工艺在半导体制造中引入用于晶圆硅 材料中的掺杂，由于其对掺杂剂量、角度和掺杂形收稿日期：2014-09-26第14卷第12期电 子 与 封 装貌分布的完美表现，从其应用第一天起就开始大量 取代