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机箱电磁屏蔽的FDTD仿真FDTDSimulationonElectromagneticShieldingofMetalChassis夏昌明（司亚乐无线通讯科技有限公司,广东深圳518057）XiaChang-ming(SierraWirelessTechnologyLtd.,GuangdongShenzhen518057）摘要：该文针对正弦调制高斯脉冲激励下机箱电磁屏蔽问题，使用Zeland公司的FIDELITY软件进行FDTD仿真，结果显示屏蔽板越靠近子板，对子板、母板的屏蔽效果就越好。关键词：正弦调制高斯脉冲；机箱；电磁屏蔽；FDTD中图分类号：O441文献标识码：A文章编号：1003-0107(2014)09-0074-05Abstract:TheFDTDalgorithmisappliedforelectromagneticshieldingofmetalchassisunderthesinemodu-latedwithgaussianexcitation,usingtheFIDELITYpackagewhichisaproductfromZelandSoftware,Inc.Thesimulationresultsindicatethatthelessthedistancebetweentheshieldcardandthedaughtercardis,thebettertheshieldingperformanceofthemotherboardandthedaughtercardbecomes.Keywords:SineModulatedwithGaussianpulse;Metalchassis;ElectromagneticShielding;FDTDCLCnumber:O441Documentcode:AArticleID：1003-0107(2014)09-0074-050引言在微波脉冲激励下仿真复杂结构的电磁波透入问题，FDTD算法相对于矩量法、有限元法等频域算法具有独特的优势，它可以直接进行时域计算，并且节约存储空间和计算时间。本文对带有一缝隙的机箱模型进行仿真，该模型包含一块水平母板和一块垂直子板，而部分屏蔽板位于垂直子板与机箱缝隙之间。通过计算，比较了屏蔽板与机箱缝隙不同距离的情况下，水平母板和垂直子板的屏蔽效果，所得结论有利于指导工程实践。导率同腔体壁。缝隙尺寸为150×10mm2。1建立模型图1所示是300×300×150mm3的金属机箱，假定腔体壁无限薄，电导率σ=4.9e＋007s/m，腔体内无电流、电荷分布。采用直角坐标系，原点位于金属机箱中心。机箱靠近底部(z=-53)水平放置一块250×250×6mm3的母板，相对介电常数εr=4.2，其上(y=50)垂直放置一块200×3×100mm3的子板，相对介电常数同上，子板与缝隙之间放置一块200×100mm2的部分屏蔽板[1]，电图1金属机箱模型2参数设置入射波是沿-y方向传播的平面波，电场沿+z方向[2]。时间分布是正弦调制高斯脉冲函数形式，中心频率是0.9GHz，3dB截止频率是0.3GHz，幅值是100kV/m，如图2所示。作者简介：夏昌明(1977-)，男，主任射频工程师，硕士，从事无线通讯模块射频开发工作。74图2正弦调制高斯脉冲(a)(0，-100，-50)点对比情况机箱电磁屏蔽的FDTD仿真电子质量（2014第09期）求解区域是x=-180至x=180，y=-180至y=180，z=-90至z=90。x方向网格的尺寸是6mm，y、z方向网格的尺寸是3mm。吸收边界条件是全部采用PML边界，Depth=6，Or－der=4，Ref=1e-005。在输出参数的定义中，选择母板上表面(0，-100，-50)、(0，0，-50)，下表面(0，-100，-56)、(0，0，-56)及子板内表面(0，48.5，0)、外表面(0，51.5，0)六个点，用来监视时域信号。3数值结果为了分析屏蔽效果随屏蔽板与机箱缝隙之间距离的变化关系，分别计算了不存在屏蔽板及屏蔽板位于y=75、y=100、y=125四种情况。3.1母板各点Ez场分量时域信号对比母板各点Ez场分量时域信号对比如图3所示。说明：Ez、Ez75、Ez100、Ez125分别表示不存在屏蔽板及屏蔽板位于y=75、y=100、y=125四种情况。75(b)(0，0，-50)点对比情况(c)(0，-100，-56)点对比情况电子质量（2014第09期）机箱电磁屏蔽的FDTD仿真76(d)(0，0，-56)点对比情况图3母板各点Ez场分量时域信号对比(a)(0，48.5，0)点对比情况机箱电磁屏蔽的FDTD仿真电子质量（2014第09期）3.2子板各点Ez场分量时域信号对比子板各点Ez场