阴离子表面活性剂层状液晶中制备SAA-LDHs纳米片及其性能研究Study on the preparation of SAA-LDHs nanoscale in the layered liquid crystal of anionic surfactant and its properties.pdfVIP

阴离子表面活性剂层状液晶中 制备SAA．LDHs纳米片及其性能研究 学位沦文完成日期：二—— 指导教师签字：_．．篁塑堑么立指导教师签字：二≤匣鳓玉 答辩委员会成员签字 中文摘要 阴离子表面活性剂层状液晶中制备SAA—LDHs纳米片 及其性能研究 摘要 类水滑石(LDHs)是由二价和三价金属离子组成的具有水滑石层状结构的 氢氧化物，其主体层板带正电，层问存在可交换的阴离子，它们在吸附、药物控 释、催化、阻燃等领域具有广阔的应用前景。溶致液晶(LLC)通常是由一定浓度 的表面活性剂(SAA)与溶剂形成的二元或多元体系，它兼有液体可流动性和晶 体各向异性的特点，其重复间距处于纳米尺度范围。LLC己广泛用作合成纳米 材料的微反应器或模板，以LLC作反应介质制备类水滑石纳米材料及其结构与 性能研究已成为当前该领域的研究热点。 本论文分别采用阴离子表面活性剂十二烷基硫酸钠(SDS)和二(2一乙基己基) 琥珀酸酯磺酸钠(AOT)与无机盐水溶液构建的层状溶致液晶作微反应器，制备表 面活性剂．类水滑石(L．SAA．LDHs)杂化物，并以此为基础，研究杂化物对疏水性、 非离子药物阿维菌素(AVM)进行药物插层与控释性能研究，以2，4一二氯苯酚(DCP) 为模型分子，考察杂化物对有机污染物的吸附性能。本论文对产物形貌、结构及 性能进行了表征，探索了自溶致液晶中制备类水滑石纳米结构材料的基本规律， 为构筑高性能类水滑石纳米功能材料提供科学依据。 论文主要研究内容包括： (1)自SDS、AOT层状溶致液晶中制备具有层状取向的L．SAA．LDHs纳米片。 考察了表面活性剂浓度、无机盐浓度、沉淀剂用量以及反应时间等因素对产物结 构的影响。在制备L．SDS．LDHs过程巾，以45mmolFL的无机盐溶液代替纯水， 配制28．6 wt％的SDS溶液，固定表面活性剂溶液与戊醇的体积LL(Vs／V跳酵)为 h后制备了平 7／3，调控沉淀剂用量r=10(严矿蜮剥实阿使用㈣／v舭刷理论体积)，反应48 均厚度为3．13±1．01 nm的纳米片。产物片层薄，片与片相互叠加形成明显的层状 取向特征。在制备L．AOT-LDHs过程中，选择表面活性剂与无机盐浓度分别为 30 wt％和90mmol／L，控制沉淀剂用量r=8，体系反应48h后制各的纳米片平均 厚度为3．2841．32nm。结合XRD实验数据可知，上述制备的L．SAA．LDHs杂化 物仅含1．2层类水滑石纳米片，这表明溶致液晶微反应器法可有效调控产物厚度， 该方法无需剥离可直接制备纳米超薄片，是一种简便、高效的纳米材料制备方法。 (2)阿维菌素(AVM)插层与缓释性能研究。以L．SAA—LDHs作为药物载体， 中文摘要 采用蒸发溶剂促进插层法进行了阿维菌素药物插层。由于阴离子表面活性剂在类 水滑石层间形成疏水区，将L．SAA—LDHs分散到阿维菌素的乙醇溶液中，逐渐 蒸发溶剂(乙醇)，迫使疏水性的阿维菌素插入类水滑石层间的疏水区，分别制备 wt％平lJ wt％ 8．39 d其药物释放率分别为45．84 wt％。在25℃、pH=7条件下，杂化物经过l 和43．68wt％，表明L—SAA—LDHs作为药物载体对AVM具有一定的缓释作用。 min时间， 等技术对杂化物及吸附过程进行表征。吸附动力学数据表明，经过350 DCP可在吸附剂表面吸附达平衡。改变污染物初始浓度测定DCP吸附等温线， 实验结果显示吸附量与平衡浓度基本呈线性关系，表明