IGCT电路设计.ppt

IGCT应用篇 IGCT电路设计 目录 VSI 钳位电路设计 IGCT 试验电路 开关波形 钳位电路设计 CSI 换流电路设计 RB-IGCT 试验电路 开关波形 换流电路设计 IGCT 部件号 5SHY 35L451x VSI 试验电路 VSI 试验电路波形 VSI 试验电路参数 下述参数与 IGCT 及二极管容量有关: 杂散电感, LCL di/dt 抑制电感, LI 钳位电容, CCL 钳位电阻, RS 下述参数通常由变流器系统设计给出 ，通常并不影响IGCT性能或设计: DC 环节电容, CDC 负载电感, LLOAD di/dt 抑制电感设计关键 部件 di/dt 能力 (SOA) IGCT 二极管 最大浪涌电流能力 取决于 LI 及CDC 二极管开关损耗 当 LI 值降低时损耗增加 部件di/dt 能力 GCT di/dt能力: 由于硬驱动原理特别高 (与 GTO相比) 非常高的开通 di/dt ( 500A/us) 确保了均匀, 牢固 及“无损耗” 开通 实际应用中超过 3000A/us 二极管 di/dt能力: IGCT VSI设计中主要的限制部件 特别是对市场中已成为标准的无吸收应用更是这样 典型值 200 -1000 A/us， 取决于芯片的大小及最大需要关断 的电压 di/dt 抑制电感器数值 VSI电路中, 二极管的 di/dt 容量 通常决定了di/dt 扼流圈的大小。 Li (Vdc/(di/dtmax)) 为了限制二极管的开关损耗或相臂贯穿过程中的浪涌电流应力，可以选择一个较大的电感值。 杂散电感设计 杂散电感 LCL对以下参数影响较大 IGCT 关断 SOA 和损耗 二极管关断 SOA 和损耗 二极管在低关断电流下的 snap 特性 Snap过电压 因高频振荡而引起的噪声 如LCL 超过数据样本规定值, 则SOA 及关断损耗将因此而发生变化 关断损耗与杂散电感的关系曲线 RLC 钳位电路 包含LI、CCL 及RS的钳位并联谐振电路分析，考虑 CCL 和RS 初始值。 在以下条件下，分析将得到一个很好的结果 CDC CCL 杂散电感小 (LS1, LS2) LLOAD LI VSI 详细的测试电路 RLC电路 – 二阶微分方程 微分方程: LI CCL * (diL/dt)2 + (LI / RS) * (diL/dt) + iL = 0 (1) 钳位因子: D = ( LI / CCL)/(2RS) ? ? D ? 0.8 (2) 钳位电容: CCL (LI *D4*IL)/(K1*ΔVCL) ? K1 ? 0.9 (3) 钳位电阻: Rs = ( Li / Ccl)/(2D) ? (4) RLC 电路 – 为什么要钳位电阻？ 为了使钳位电容在下一次开关转换以前放电（开关过电压不能叠加超过元件额定值） 限制开关电压过冲 VDM 防止开关转换后由于RLC电路中额外的振荡使电流流入钳位二极管 (稍亚临界钳位 – 见公式 2) 其值由方程 (4) 决定 RLC 电路 – 钳位电容 其值由公式 (3)确定，其中 CCL (LI *D4*IL)/(K1*ΔVCL) ? K1 ? 0.9 (3) D 是钳位因子 (公式 (2)) IL ITGQM – 应用电路中的最大可关断电流，其值必须低于样本中的器件最大可控关断电流 ΔVCL = VDM - VDCMAX 是最大允许峰值电压和应用电路中最大需要的DC环节电压之间的差值 K1 值说明杂散电感LS2的影响，其值尽管很小但决不会是零 RB-IGCT 电路设计 CSI 基本电流源逆变器 RB-IGCT 测试电路 RB-IGCT 测试电路波型 RB-IGCT 测试电路波形 RB-IGCT 测试电路波形 RB-IGCT 测试电路波形 RB-IGCT 测试电路波形 RB-IGCT 测试电路波形 RB-IGCT 测试电路波形 RB-IGCT 测试电路波形 CSI 换向电路设计 与 VSI 钳位电路设计相似, 第一步是要根据二极管重复关断di/dt容量的需要确定最小换向电感 Lcomm Vdcmax / di/dtmax 有时, 必需的换向电感小于逆变器器件和滤波电容连接之间的典型电线或母排电感值. 换向电感变化 RC 吸收电路设计 作为优化RC吸收电路的先决条件, 输出滤波器与逆变器器件之间的全部电感 (包括组件结构、电缆和母排) 要进行测量并置于设计控制之下； 必须同时考虑自换向和负载换向瞬态 简化分析或模拟结果的开关特性简单模型并不存在 因此推荐使用数据样本值作为进行详细设计的一个起点 RC吸收电路的变化 ZESEM ? ABB Switzerland Ltd - * -