第3章太阳能-InvestinTaiwan.PDFVIP

第 3 章 太陽能 一、CIGS 太陽電池關鍵技術 （一）技術研發目標 因應氣候暖化效應，太陽光電(PV, Photovoltaic)為世界各國積極發展的替代能源 方案之一，台灣亦推動綠色能源旭升方案以帶動產業發展。目前整體太陽光電產業仍 以矽晶太陽電池為主，因產業技術發展已趨成熟，競爭極為激烈，為取得突破性技術 第 3 能量，應朝向具有前瞻競爭優勢的技術及太陽光電模組發展。 章 薄膜太陽電池具有材料成本較低、質輕、可撓性、製程相對簡單及耗能較少等優 勢，藉由提升光電轉換效率技術，製造成本有降至每瓦1 美元以下的潛力，具備市場 太 陽 的實用性與競爭力。其中銅銦鎵硒型(CIGS, CuInGaSe )太陽電池是目前光電轉換效 2 能 率最高者之一，小面積電池效率已達20.3% ，模組效率也達14% ，再搭配軟性基板來 降低太陽電池之重量及封裝材料之成本，應用領域更廣，是現階段各國發展薄膜太陽 電池之重要方向。 由於 CIGS 太陽電池的發展瓶頸，在於大面積量產技術尚未成熟及量產成本過 高，所以從量產製程的突破，亦是發展的重要助力要項。隨著真空設備的進步，已有 國內半導體產業的廠商採用濺鍍法來鍍製太陽電池的透明導電薄膜(Transparant Conductive Thin Film) ，而塗佈式製造太陽電池技術也持續發展中。本技術係以塗佈 式太陽電池技術的發展著手，技術的研發目標為：1.奈米漿料塗佈式太陽電池技術- 材料利用率高(95%) 、產速快、設備投資成本低；2.配合快速處理硒化(Selenization) 技術，開發軟性CIGS 模組材料、製作無鎘緩衝層與後續透明導電層；3.自主研發軟 性不銹鋼鍍鉬基板，在吸收層CIGS 上開發自製材料、捲繞式傳輸製程(R2R, Roll to Roll) 、CIGS 薄膜成型製程設備系統及塗佈設備與製程；4.開發智慧自動化製造系統， 以提升真空濺鍍和高溫爐硒化氫(H2Se)的硒化產能及良率。 （二）技術發展藍圖 CIGS 太陽電池關鍵技術發展分成三項：1. CIGS 次模組整線製程技術，開發項 目包括次模組電極技術、次模組光吸收層技術、CIGS 硒化物奈米漿料技術；2. R2R 太陽電池連續鍍膜技術，開發項目包括R2R 不鏽鋼箔表面處理技術、R2R 連續濺鍍 鉬電極技術；3. CIGS 關鍵設備及模組技術，開發項目包括軟性基板CIGS 塗佈製程 設備系統技術、快速熱處理(RTP, Rapid Thermal Process)製程設備系統技術、吸收 層材料設備技術及CIGS 太陽電池設備製程監控技術。相關技術標示見圖2-2-3-1 。 第一項 CIGS 次模組整線製程技術開發上，將針對次模組均勻性所面臨關鍵問 題，整合材料、製程技術，協助國內廠商突破目前面臨的瓶頸。研發重點包含前驅物 材料、奈米粒子尺寸、成分組成，分散劑、黏度、流變性；無鎘緩衝層之覆蓋率、穿 透率、能階匹配等；並在非真空軟性無鎘CIGS 大面積光吸收層技術進行開發，驗證 在10x10 cm 的軟性基板上建立各層之標準規範，如吸收層組成均勻性：各元素莫耳 比與設定值誤差±10% ；無鎘緩衝層：厚度均勻性±10 nm ，穿透度70% ，覆蓋率 145 域 領 技 科 能 綠 、 貳