7 第二章 2.3 理想PN结的直流电流－电压特性.ppt

例2：画出理想二极管电路的传输特性（Vo~VI） * Physics of Semiconductor Devices * 2.3 理想PN结的直流电流－电压特性 正向电流－电压特性 二 反向电流－电压特性 三 PN结的伏安特性 理想PN结模型假设： （1）外加电压全部降落在耗尽区上，耗尽区以外的半导体是 电中性的，可忽略中性区的体电阻和接触电阻； （2）均匀掺杂； （3）小注入(即注入的非平衡少子浓度远小于多子浓度)； （4）耗尽区内无复合和产生； （5）半导体非简并。 （6）P型区N型区的宽度远大于少子扩散长度 一 正向电流－电压特性 在N型区的右侧，由于注入的非平衡少子（空穴）基本复合消失，少子的扩散电流为零，流过的电流主要是多子－电子的漂移电流少子空穴的浓度很低，其漂移电流可忽略不计 在P型区的左侧，流过的电流主要是多子－空穴的漂移电流，少子（电子）的浓度很低，其漂移电流可忽略不计。 中性区 漂移电流 漂移电流 扩散电流 扩散电流 复合 复合 N区 P区 N区：电子在外加电压的作用下向边界Xn 漂移，越过空间电荷区，经过边界XP注入P区，然后向前扩散形成电子扩散电流，但在电子扩散区域内，电子边扩散边复合，不断与从左边漂移过来的空穴复合而转化为空穴的漂移电流，直到X’P 处注入的电子全部复合，电子扩散电流全部转变为空穴的漂移电流。 扩散区 P区：空穴在外加电压的作用下向边界XP 漂移，越过空间电荷区，经过边界XN注入N区，然后向前扩散形成空穴扩散电流，在空穴扩散区域内，空穴扩散电流都通过复合而转化为电子的漂移电流。 扩散区：少子扩散电流和多子漂移电流相互转换 扩散区 扩散区 电子电流和空穴电流的大小在PN结附近扩散区域内的各处是不相等的，但两者之和始终相等。说明电流转换并非电流的中断，而仅仅是电流的具体形式和载流子类型的改变，因此，PN结内的电流是连续的。 则通过PN结任意截面的电流都一样： 漂移电流 漂移电流 扩散电流 扩散电流 复合 复合 根据连续性方程和电流方程： 空穴的扩散长度 边界条件 空穴浓度分布 空穴注入的扩散电流： 空穴注入的扩散电流分布 在边界处空穴扩散电流： 边界处 电子浓度分布： 电子的扩散电流： 电子的扩散长度 在边界处电子扩散电流： 电子注入的扩散电流分布 由于忽略了空间电荷区的复合和产生电流，则总电流： 二极管的饱和电流 总电流 在XN~X’N区域和XP~X’P区域的少子浓度低于平衡少子浓度，因而产生大于复合。 扩散电流 扩散电流 漂移电流 漂移电流 二 反向电流－电压特性 扩散电流 扩散电流 漂移电流 漂移电流 在XN~X’N区域净产生的空穴往结区扩散，到达空间电荷区边界XN处，被电场扫过空间电荷区进入P区，产生的电子以漂移的形式流出XN~X’N区。 扩散电流 扩散电流 漂移电流 漂移电流 在XP~X’P区域中净产生的电子往XP方向扩散，一到达空间电荷区边界XP即被电场扫过空间电荷区进入N区，产生的空穴则以漂移形式流出XP~X’P 。 这样形成了由N区流向P区的PN结反向电流。在右侧是电子漂移电流，在左侧全部变为空穴电流。 扩散电流 扩散电流 漂移电流 漂移电流 反向电流特性： 少子的产生率 电子、空穴的复合率： 负的复合率表明产生率是正的，上式中分别是空穴扩散区和电子扩散区中所发生的空穴产生电流和电子产生电流。 边界少子的浓度几乎为0，非平衡载流子的浓度近似为-np0 和 -pn0 三 PN结的直流特性 施加正向电压能通过较大电流，正向导通；施加反向电压时，电流趋于饱和（很小），称PN结处于反向截至。 PN结具有单向导电性 门槛电压 死区 正向特性 反向特性 在外加电压较低时，正向电流很小，几乎为零，随着电压的增加，正向电流慢慢增大，当电压大于某一个值时，电流才有明显的增加。这个电压称为PN结的导通电压或门槛电压VTH。之后，电流随电压的增加而急剧增大。锗PN结的导通电压为0.25V，硅PN结的导通电压为0.5V。 门槛电压： 例1：求vI1和vI2不同值组合时的v0值（二极管为理想模型）。 解： 开关电路 vI1 vI2 二极管工作状态 D1 D2 v0 0V 0V 导通 导通 导通 截止 截止 导通 截止 截止 0V 5V 5V 0V 5V 5V 0V 0V 0V 5V 应用实例：二极管基本电路分析 当VI0时 D1导通 D2截止 当VI0时 D1截止 D2导通 0 VI VO - 5V +5V +5V - 5V +2.5V -2.5V