半导体的基本知识PN结及其单向导电性.pptVIP

多出一个电子 出现了一个正离子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 P (1) N型半导体 掺入五价杂质元素（如磷、砷）的杂质半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 半导体中产生了大量的自由电子和正离子 电子为多数载流子 空穴为少数载流子 N型半导体形成过程动画演示 c. 电子是多数载流子，简称多子;空穴是少数载流 子，简称少子。 b. N型半导体中产生了大量的(自由）电子和正离子。 小结 a. N型半导体是在本征半导体中掺入少量五价杂质 元素形成的。 g . 整块半导体满足电中性条件。 f. 因电子带负电，称这种半导体为N(negative)型或 电子型半导体。 原因是半导体和掺入的微量元素都是电中性的，掺杂的过程不改变电荷，只是半导体中出现了大量可运动的电子或空穴 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 B 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼等。 (2) P型半导体 出现了一个空位 +4 +4 +4 +4 +4 +4 B +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 B +4 +4 负离子 空穴 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 半导体中产生了大量的空穴和负离子 P型半导体的形成过程动画演示 c. 空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 d. 因空穴带正电，称这种半导体为P(positive)型或 空穴型半导体。 a. P型半导体是在本征半导体中掺入少量的三价 杂质元素形成的。 b. P型半导体产生大量的空穴和负离子。 小结 当掺入三价元素的密度大于五价元素的密度时，可将N型转为P型； 当掺入五价元素的密度大于三价元素的密度时，可将P型转为N型。 掺入杂 质对本征半导体的导电性有很大的影响，一些典型的数据如下: T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.4×1010/cm3 2 本征硅的原子浓度: 4.96×1022/cm3 1 以上三个浓度基本上依次相差106/cm3 。 3 掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度: n=5×1016/cm3 (3)杂质对半导体导电性的影响 你从这些数据了解到些什么？ 思 考 题 1. 半导体中的载流子浓度主要与哪些因素有关？ 2. 扩散电流与漂移电流的联系和区别？ 1.2.1 PN结的形成 1.2.2 PN结的单向导电性 1.2　PN结及其单向导电性 N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 以N型半导体为基片 通过半导体扩散工艺 1.2.1 PN结的形成 靠浓度梯度扩散，或采用离子注入法 使半导体的一边形成N型区，另一边形成P型区。 N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + - - P - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - (1) 在浓度差的作用下，电子从 N区向P区扩散。 N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + - - P - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - (2) 在浓度差的作用下，空穴从 P区向N区扩散。 N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + - - P - - - - - -