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问题 为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成导电性能极差的本征半导体，又将其掺杂，变成杂质半导体？ 为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素？ 一、二极管的组成 三、二极管的等效电路 四、PN 结的电容效应 §1.3 晶体三极管 一、晶体管的结构和符号 电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 　　2. 在漏源极间加正向 VDD，使 UDS 0，在栅源间加负电源 VGG，观察 UGS 变化时耗尽层和漏极 ID 。 UGS = 0，UDG ，ID 较大。 G D S P+ N IS ID P+ P+ VDD VGG UGS 0，UDG ，ID 较小。 G D S N IS ID P+ P+ VDD 　　注意：当 UDS 0 时，耗尽层呈现楔形。 (a) (b) G D S P+ N IS ID P+ P+ VDD VGG UGS 0,UDG = |UP|, ID更小, 预夹断 UGS ≤UP ,UDG |UP|,ID ? 0,夹断 G D S IS ID P+ VDD VGG P+ P+ (1) 改变 UGS ，改变了 PN 结中电场，控制了 ID ，故称场效应管； (2)结型场效应管栅源之间加反向偏置电压，使 PN 反偏，栅极基本不取电流，因此，场效应管输入电阻很高。 (c) (d) 三、特性曲线 1. 转移特性(N 沟道结型场效应管为例) O UGS ID IDSS UP 图 1.4.6　转移特性 UGS = 0 ，ID 最大；UGS 愈负，ID 愈小；UGS = UP，ID ? 0。 两个重要参数 饱和漏极电流 IDSS(UGS = 0 时的 ID) 夹断电压 UP (ID = 0 时的 UGS) UDS ID VDD VGG D S G V ? + V ? + UGS 图 1.4.5　特性曲线测试电路 + ? mA 1. 转移特性 O uGS/V ID/mA IDSS UP 图 1.4.6　转移特性 2. 漏极特性 　　当栅源 之间的电压 UGS 不变时，漏极电流 ID 与漏源之间电压 UDS 的关系，即 结型场效应管转移特性曲线的近似公式： ≤ ≤ IDSS/V ID/mA UDS /V O UGS = 0V -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 预夹断轨迹 恒流区 击穿区 可变电阻区 　　漏极特性也有三个区：可变电阻区、恒流区和击穿区。 2. 漏极特性 UDS ID VDD VGG D S G V ? + V ? + UGS 图 1.4.5　特性曲线测试电路 + ? mA 图 1.4.6(b)　漏极特性 　　场效应管的两组特性曲线之间互相联系，可根据漏极特性用作图的方法得到相应的转移特性。 UDS = 常数 ID/mA 0 -0.5 -1 -1.5 UGS /V UDS = 15 V 5 ID/mA UDS /V 0 UGS = 0 -0.4 V -0.8 V -1.2 V -1.6 V 10 15 20 25 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 　　结型场效应管栅极基本不取电流，其输入电阻很高，可达 107 ? 以上。如希望得到更高的输入电阻，可采用绝缘栅场效应管。 图 1.4.7　在漏极特性上用作图法求转移特性 1.4.2　绝缘栅型场效应管 由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体场效应管，或简称 MOS 场效应管。 特点：输入电阻可达 109 ? 以上。 类型 N 沟道 P 沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 UGS = 0 时漏源间存在导电沟道称耗尽型场效应管； UGS = 0 时漏源间不存在导电沟道称增强型场效应管。 一、N 沟道增强型 MOS 场效应管 1. 结构 P 型衬底 N+ N+ B G S D SiO2 源极 S 漏极 D 衬底引线 B 栅极 G 图 1.4.8　N 沟道增强型MOS 场效应管的结构示意图 2. 工作原理 绝缘栅场效应管利用 UGS 来控制“感应电荷”的多少，改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，以控制漏极电流 ID。 工作原理分析 (1)UGS = 0 漏源之间相当于两个背靠背的 PN 结，无论漏源之间加何种极性电压，总是不导电。 S B D 图 1.4.9 (2) UDS = 0，0 UGS UT P 型衬底 N+ N+ B G S D P 型衬底中的电子被吸引靠近 SiO2 与空穴复合，产生由负离子组成的耗尽层。增大 UGS 耗尽层变宽。