半导体二极管及半导体三极管放大电路.pptVIP

3、极限参数 (1). ICM — 集电极最大允许电流，超过时 ? 值明显降低。 U(BR)CBO — 发射极开路时 C、B 极间反向击穿电压。 (2). PCM — 集电极最大允许功率损耗 PC = iC ? uCE。 (3). U(BR)CEO — 基极开路时 C、E 极间反向击穿电压。 U(BR)EBO — 集电极极开路时 E、B 极间反向击穿电压。 U(BR)CBO U(BR)CEO U(BR)EBO 已知: ICM = 20 mA, PCM = 100 mW，U(BR)CEO = 20 V， 当 UCE = 10 V 时，IC mA 当 UCE = 1 V，则 IC mA 当 IC = 2 mA，则 UCE V 10 20 20 iC ICM U(BR)CEO uCE PCM O ICEO 安 全 工 作 区 例1: ? = 50， USC = 12V RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V 时，晶体管处于何种工作状态？ 解：当USB =-2V时： IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE IB=0 ， IC=0 截止 当USB =2V时： 假定在放大区 假定成立 放大 例1: ? = 50， USC = 12V RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V 时，晶体管处于何种工作状态？ 解：当USB =5V时： IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE 假定在放大区 假定不成立 饱和 例1: ? = 50， USC = 12V RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V 时，晶体管处于何种工作状态？ IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE IC最大饱和电流 当USB =2V时 I’B临界饱和电流 放大区 当USB =5V时 饱和区 解2： 五、场效应三极管介绍 场效应管：一种电压控制器件，是利用输入电压产生的电场效应来控制输出电流大小的器件。 场效应管分类 结型场效应管 绝缘栅场效应管（MOS管） 特点 单极型器件(一种载流子导电)； 输入电阻高； 工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低，噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强等。 外加电压大于死区电压，二极管才能导通。 外加电压大于反向击穿电压时，二极管被击穿，失去单向导电性。 P N + – U I 硅管0.5V锗管0.1V 反向击穿 电压U(BR) 导通压降 正向特性 反向特性 硅0.6~0.8V锗0.2~0.3V 死区电压 P N – + 反向电流 在一定电压 范围内保持 常数。 二、伏安特性： 非线性 三、主要参数 1. 最大整流电流 IF 二极管长时间使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。超过后会引起PN结过热而损坏 2. 反向工作峰值电压UR 保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是反向击穿电压U(BR)的一半。点接触型D 管为数十伏，面接触型D管可达数百伏。 3. 反向峰值电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流越大，说明二极管的单向导电性越差。 反向电流受温度影响，温度越高反向电流越大。 硅管的反向电流较小（ 几微安），锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 二极管的应用: 整流、检波、限幅、保护等 关键：判定二极管的工作状态 ---- 导通、截止 实际二极管：正向导通 ---- 硅 0.6~0.7V 锗 0.2~0.3V 理想二极管：正向导通 ---- 管压降为零 反向截止 ---- 相当于断开 四、二极管的电路分析： 分析方法： 1. 断开二极管 2. 分析其两端电位高低 V阳 V阴 → 导通 V阳 V阴 → 截止 RL ui uo ui uo t t 二极管的应用举例1：二极管半波整流 分析依据: 二极管的单向导电性 假定为理想二极管 RL ui uo ui uo t t 二极管的应用举例：二极管半波整流