模拟电子技术（陈素华）1.1.3PN结.pptVIP

二. PN结的单向导电性 外加正向电压 PN结加正向电压时导通 PN结加正向电压时导通 PN结加正向电压时导通 PN结加正向电压时导通 2.外加反向电压 PN结加反向电压时截止 PN结加反向电压时截止 PN结加反向电压时截止 归纳： PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻， PN结导通； PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻， PN结截止。 * P型半导体 N型半导体 负离子 空穴 正离子 自由电子 注意：杂质半导体中的正负电荷数是相等的，其作用相互抵消，因此对外保持电中性。 复习： 在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层，称为 PN 结。 P N PN结 图 　PN 结的形成 一、PN 结的形成 1.1.3 PN结 P N PN 结中载流子的运动 耗尽层 空间电荷区 1. 扩散运动 　　2. 扩散运动形成空间电荷区 　　电子和空穴浓度差形成多数载流子的扩散运动。 ——耗尽层。 + - P N 3. 空间电荷区产生内电场 空间电荷区 Uho 　　空间电荷区正负离子之间电位差 Uho —— 电位壁垒； —— 内电场；内电场阻止多子的扩散 —— 阻挡层。 　　4. 漂移运动 　　内电场有利于少子运动—漂移。 少子的运动与多子运动方向相反 阻挡层 P N + - ＋ － 内电场 5. 扩散与漂移的动态平衡 扩散运动使空间电荷区增大，扩散电流逐渐减小； 随着内电场的增强，漂移运动逐渐增加。 扩散运动与漂移运动达到动态平衡时， 6.PN结的形成动画 扩散电流＝漂移电流 PN结中总电流＝0 空间电荷区的宽度也达到稳定 即电源的正极接P区，负极接N区。 PN结的这种接法称为正向接法或正向偏置（简称正偏）。 前提：只有在外加电压时才会显示出来 － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + ＋ － 外电场 P区 N区 多子空穴 多子电子 VF 空间电荷区 内电场 扩散运动 R － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + ＋ － 内电场 外电场 P区 N区 多子空穴 多子电子 VF 变薄 R － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + 变薄 ＋ － 内电场 外电场 P区 N区 多子空穴 多子电子 IF VF 正向电流 I：扩散电流 R － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + 变薄 ＋ － 内电场 外电场 P区 N区 IF VF I：扩散电流 内电场被削弱，多子的扩散加 强，形成较大的扩散电流I。 小结 R 即电源的正极接N区，负极接P区。 PN结的这种接法称为反向接法或反向偏置（简称反偏）。 － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + 空间电荷区 ＋ － 内电场 外电场 P区 N区 少子电子 少子空穴 VR 漂移运动 R － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + ＋ － 内电场 外电场 P区 N区 VR 变厚 IR I：漂移电流 反向电流 温度一定时，反向电流IR趋于恒定值，称为反向饱和电流IS。 R － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + ＋ － 内电场 外电场 P区 N区 VR 变厚 IR I：漂移电流 小结 内电场被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电流IR。 R 在于它的耗尽层的存在，且其宽度随外加电压而变化。 关 键 这就是PN结的单向导电性。 *