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2017-12-17 发布于浙江
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工艺库说明.doc

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工艺库说明

工艺库说明工艺库是采用0.18um的工艺，下面是调用工艺库名称及尺寸范围，工艺库的调用模型的名称可以自己进工艺库里面改，比如说我这里用的是nmos18表示nmos管，供给电压为1.8V。工艺里面的数值可以自己修订，但是如果要流片的话必须要和工厂的工艺库一样。具体尺寸说明如下，调用名称调用类型基本的宽长范围 nmos18 TT L:240nm-50um,W:240nm-100um,tox=4.2nm,vdd=1.8V pmos18 TT L:240nm-50um,W:240nm-100um,tox=4.2nm,vdd=1.8V nmos18 SS L:240nm-50um,W:240nm-100um,tox=4.45nm,vdd=1.8V pmos18 SS L:240nm-50um,W:240nm-100um,tox=4.45nm,vdd=1.8V nmos33 TT L:500nm-50um,W:800nm-100um,tox=7nm,vdd=3.3V pmos33 TT L:500nm-50um,W:800nm-100um,tox=7nm,vdd=3.3V nmos18 FF L:240nm-50um,W:240nm-100um,tox=3.5nm,vdd=1.8V pmos18 FF L:240nm-50um,W:240nm-100um,tox=3.5nm,vdd=1.8V nmos18 SNFP L:240nm-50um,W:240nm-100um,tox=4.2nm,vdd=1.8V pmos18 SNFP L:240nm-50um,W:240nm-100um,tox=4.2nm,vdd=1.8V nmos18 FNSP L:240nm-50um,W:240nm-100um,tox=4.2nm,vdd=1.8V pmos18 FNSP L:240nm-50um,W:240nm-100um,tox=4.2nm,vdd=1.8V nmos33 MM L:500nm-50um,W:800nm-100um,tox=7nm,vdd=3.3V pmos33 MM L:500nm-50um,W:800nm-100um,tox=7nm,vdd=3.3V nmos33 NN L:500nm-50um,W:800nm-100um,tox=7.5nm,vdd=3.3V pmos33 NN L:500nm-50um,W:800nm-100um,tox=7.5nm,vdd=3.3V nmos33 OO L:500nm-50um,W:800nm-100um,tox=6.5nm,vdd=3.3V pmos33 OO L:500nm-50um,W:800nm-100um,tox=6.5nm,vdd=3.3V nmos33 PP L:500nm-50um,W:800nm-100um,tox=7nm,vdd=3.3V pmos33 PP L:500nm-50um,W:800nm-100um,tox=7nm,vdd=3.3V nmos33 QQ L:500nm-50um,W:800nm-100um,tox=7nm,vdd=3.3V pmos33 QQ L:500nm-50um,W:800nm-100um,tox=7nm,vdd=3.3V nmos018 RR L:300nm-50um,W:240nm-100um,tox=4.2nm,vdd=1.8V nmos033 RR L:500nm-50um,W:800nm-100um,tox=7nm,vdd=3.3V nmos033 UU L:500nm-50um,W:800nm-100um,tox=7.5nm,vdd=3.3V nmos033 VV L:500nm-50um,W:800nm-100um,tox=6.5nm,vdd=3.3V nmos033 WW L:500nm-50um,W:800nm-100um,tox=7.25nm,vdd=3.3V nmos033 XX L:500nm-50um,W:800nm-100um,tox=6.75nm,vdd=3.3V nch YY L:180nm-50um,W:240nm-100um,tox=4.2nm,vdd=1.8V pch YY L:180nm-50um,W:240nm-100um,tox=4.2nm,vdd=1.8V nch ZZ L:180nm-50um,W:240nm-100um,tox=3.95nm,vdd=1.8V pch ZZ L:180nm-50um,W:240nm-100um,tox=3.95nm,vdd=1.8V nch AA L:180nm-50um,W