巨磁阻是一种量子力学效应-复旦大学物理教学试验中心Fudan.PPT

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巨磁阻是一种量子力学效应-复旦大学物理教学试验中心Fudan

第五界全国高等学校物理实验教学研讨会 《巨磁电阻效应实验仪的研制》 汇报人:张朝民 一、 磁电阻效应与巨磁电阻效应 二 、巨磁电阻实验仪的设计思路 三 、巨磁电阻实验仪的使用情况 一、磁电阻效应与巨磁电阻效应 1.磁电阻效应: 物质在磁场的作用下,其电阻发生变化的效应 。 磁电阻:物质在磁场中电阻之改变量,即, 此处 是在磁场H下样品的电阻率。 电阻变化的原因可来自 : 电荷受洛仑兹力作用改变路径造成电荷与晶格间散射几 率增加, 此时 受磁矩在磁场下电子自旋与磁矩间散射状态改变的影响, 若样 品是铁磁性材料,其磁矩对电荷自旋之散射几率会 因外加磁场的增加而减小,此时 其他物理原因。 2.巨磁电阻效应 2007年10月16日,由瑞典皇家科学院颁发的诺贝尔奖项正式揭晓,物理学奖项由2位不同国籍的科学家共享殊荣,分别是法国科学家阿尔贝?费尔和德国科学家彼得?格林贝格尔,因为他们分别独立的发现了“巨磁效应”这一磁物理领域的特殊现象。 巨磁电阻效应:是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之 无外磁场作用时存在巨大变化的现象。 巨磁阻是一种量子力学效应,它产生于层状的磁性薄膜结构。这 种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的 磁矩相互平行时,载流子与自旋有关的散射最小,材料有最小的电 阻。当铁磁层的磁矩为反平行时,与自旋有关的散射最强,材料的 电阻最大。上下两层为铁磁材料,中间夹层是非铁磁材料。铁磁材 料磁矩的方向是由加到材料的外磁场控制的,因而较小的磁场也可 以得到较大电阻变化的材料。 巨磁效应意义: 巨磁效应对硬盘磁头读写数据,增加存储密度 方面的设计有着重大影响。存储硬盘业是涉足“纳 米技术”的先驱,而巨磁电阻正是纳米技术应用于 高容量高科技产品的最佳范例。诺贝尔奖的颁发 正标志着先进的物理概念能够在短时间内对当今 的产品产生巨大的影响。 二 、巨磁电阻实验仪的设计思路 一、正常磁电阻(锑化铟InSb) 磁电阻效应普遍存在于磁性和非磁性良导体材料 中,对非磁性金属磁电阻(OMR)的特点是:磁电 阻的相对变化率为正( >0),其值很小(一 般<0.01%),磁电阻效应来源于载流子在运动中 受到磁场导致的洛伦兹力。锑化铟在大于0.12T强的 磁场下磁阻器件工作在线性范围,弱磁场阻值变化 很小。应用于交通、仪器仪表、医疗器械等领域。 二、坡莫合金磁电阻(各向异性磁电阻) 铁、钴、镍及其合金等磁性金属,当外加磁场平 行于磁体内部磁化方向时,电阻几乎不随外加磁场 变化;外加磁场偏离金属的内部磁化方向时,电阻 减小,这就是强磁金属的各向异性磁阻效应。 各向异性磁电阻效应依赖于铁磁合金带自发的磁 化方向,是铁磁性磁畴在外磁场的作用下,各向异 性运动引起的。广泛应用于军事、工业、航空、航 海等领域。 由图可知:坡莫合金磁电阻值为正,在 0.6mT外磁场时将达到饱和,其电阻变化率 的值最大为0.5% 三、巨磁电阻效应 巨磁电阻的基本特征与非磁性金属磁电阻 相反:磁电阻相对变化率为负( 0), 且其值很大(一般5%),巨磁电阻物理机 理源于多层磁性薄膜导体中传导电子的自旋 相关散射. 由图可看出:巨磁电阻在磁场中其电阻变化 率 为负值,且值最大为-11% . 由实验结果显示,它既不同于锑化铟正常磁电阻 MR为正值,且MR很小;又不同于坡莫合金各向异 性磁电阻,MR为正其值较大.巨磁阻效应一个重要 特点是GMR电阻随外磁场增加而减小,MR为负, 其值很大,可以达到电阻相对变化率MR为-30%.根 据需要它可以做成MR为-30%—-35%巨磁电阻;也 可以做成MR为-10%左右的巨磁电阻传感器(保证 其灵敏度一致很好 ), AA002-02型巨磁电阻传感 器测量结果MR值为-11%,因此巨磁电阻效应只能 用自旋电子学的相关理论进行解释. 为了让学生尽早掌握先进的物理概念,了 解物理中纳米技术-巨磁电阻效应在科技产品 的应用。及巨磁电阻效应对我们生活产生巨 大的影响,我们设计了巨磁电阻实验仪。 创新点: 研究巨磁电阻效应起步较早。2005年我们课题组就开始这方面的探所工作,高校中最早采用美国N

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