a—Si：H—TFT阈值电压漂移机理及其在驱动OLED显示中的补偿设计.doc

a—Si：H—TFT阈值电压漂移机理及其在驱动OLED显示中的补偿设计 第21卷第5期 2006年lO月 液晶与显示 ChineseJournalofLiquidCrystalsandDisplays V01.21.NO.5 0ct..2006 文章编号:1007—2780(2006)05—049卜O6 a—Si:H—TFT阈值电压漂移机理及其在 驱动OLED显示中的补偿设计 刘金娥一,廖燕平,荆海.,张志伟,付国柱,邵喜斌h. (1.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所北方液晶工程研究开发中心,吉林长春130033,E—mail:liujine—O@163.c0m; 2.中国科学院研究生院,北京100039}3.吉林北方彩晶数码电子有限公司,吉林长春130033) 摘要:分析了a—si:H—TFT阈值电压漂移的机理,即分析了栅偏应力下电荷注入到SiN: H栅绝缘层和a—si:H中亚稳态的产生对TFT阈值电压漂移的影响.根据非晶硅中亚稳态 产生的特点,并针对驱动OLED的两管a—si:H—TFT像素电路,提出了一种通过对数据信号 时序的重新设计来补偿周值电压漂移的方法,即在数据信号间加插一个与数据信号极性相 反的补偿信号.通过这种正负交替的信号,使驱动管TFT中由亚稳态造成的阈值电压漂移 始终保持在一个动态平衡的过程,来实现驱动OLED电流稳定的目的. 关键词:OLED;a—si:H—TFT;阈值电压漂移;电荷注入;亚稳态;补偿方法 中图分类号:TN873.3;TN321.5文献标识码:A 1引言 有机电致发光器件(OLED)作为新一代的显 示器件,因其具有自发光,快速响应,宽视角和可 制作在柔性衬底上等独特特点nq引起了人们广 泛的兴趣.预计在今后几年内,OLED将在手机, 个人数字助理器(PDA),数码相机,车载显示和 笔记本电脑上得到广泛应用,对目前以LCD为主 流的几乎所有平板显示将构成严峻挑战. OLED为电流驱动主动发光型器件,按驱动 方式可分为无源矩阵有机电致发光器件(PM一 0LED)和有源矩阵有机电致发光器件(AM一 0LED)两种.采用无源驱动时,随着屏幕的增 大,显示密度的提高,OLED中电极本身的电压降 就必须考虑L4j,且要在分配的时间内完成发射,必 须及时地施加较大的电流到各个像素上,这将大 大地损耗发光材料的使用寿命.另外,无源驱动 需要的瞬间高电流也导致功耗大,效率低.AM— OLED能很容易克服上述PM—OLED显示的缺 点,实现高分辨率,大尺寸和低功耗显示. 在AM—OLED显示中,通过应用由低温多晶 硅(LT—P—Si)技术制备的LT—P—Si—TFT具有较高 收稿日期:2005—12-18;修订日期:2006—01-28 基金项目:国家”863”计划资助项目(No.2OO4AA3O356o) 的电子迁移率,已广泛地应用在AM—OLED显示 中.但由于多晶硅自身的特点即存在晶粒间 界和大量的间界缺陷态密度,造成各个TFT的 阈值电压不一致,导致OLED发光亮度不均匀, 造成各像素灰度偏差,从而影响画面显示质量. 通过设计4个TFT的像素驱动电路来替代两个 TFT的像素驱动电路能补偿这种阈值电压的不 一 致性,但同时不可避免地要增加工艺的复杂 性[7].非晶硅薄膜晶体管(a—si:H—TFT)作为一 种重要的电子器件在液晶显示,矩阵图像传感器 等方面已经得到广泛的应用.用具有液晶显示产 业化基础的a—Si”H—TFT来驱动OLED显示无疑 具有重大的意义.但a—Si:H—TFT一个最重要的 不稳定性就是在长时间栅偏压下阈值电压会发生 漂移.正因为a—si:H—TFT的迁移率低和阈值电 压漂移的原因使其在能否用于驱动OLED问题 上经历了从”不能”[8到”能”[9再到大尺寸全 彩色样机的出现过程.但由于a—Si:H—TFT在长 时间施加直流栅偏压下导致晶体管阈值电压漂 移,造成OLED的发光亮度下降,影响使用寿命, 因此必须采取特殊的设计来补偿或消除阈值电压 的漂移.文献[13]中列举和分析了多种OLED 492液晶与显示第21卷 有源驱动电路的像素结构,他们通过在像素中应 用多个TFT(3个以上),来达到补偿阈值电压的 漂移或不一致;2005年的SID会议资料显示, Yeh—JiunTung等人L1成功地推出了两管a—Si: H—TFT驱动的OLED显示样机. 本文经过对两管a—Si:H—TFT驱动OLED的 像素电路,并根据阈值电压漂移的原因设计了一 种新的数据信号时序,来补偿a—Si:H—TFT中由 a—Si:H在直流栅偏压下亚稳态导致的阈值电压 漂移. 2阈值电压形成的能带理论] 对TFT阈值电压产生的能带理论可以用理 想的MOS管来说明.MOS管的工作状态根据 栅极电压的不同可以分