引言随着MEMS加工工艺的发展.PDF

电子发烧友 电子技术论坛 微机电系统材料特性检测技术 作者：廖峰 石庚辰 一、引言 随着MEMS 加工工艺的发展，微机电系统的材料特性引起了人们越来越多的关注。由于硅 晶材料的残余应力会降低MEMS 系统结构的使用寿命，频繁的冲击会对器件造成致命的伤 害。因此，测量加工工艺造成的残余应力和应变，测试材料的疲劳强度对于MEMS 加工工 艺的发展有着重要的意义。 二、 微机构材料应力的检测 微结构构件发生损坏主要是由于各种微观和宏观应力（热应力、薄膜应力、晶格失配应力、 机械应力、灌封应力等）集中造成的。在应力集中区域，腐蚀、疲劳和蠕变过程的发展最为 剧烈。因此，应力变形状况，特别是导致损伤的临界应力变形状况便成为评价微结构构件强 度和可靠性的一个重要依据。因此为了及时准确地找出最大机械应力变形区域，就必须开发 出同其相关联的检测方法和手段。目前，微结构材料应力特性检测主要包括X 射线衍射法、 悬臂梁法、圆片法和谐振频率法。 X 射线法原理：薄膜内部应力会对硅的面间距离产生影响，将单晶硅面间距离d0 与多晶硅 薄膜比较，可发现有表1 中所列关系，采用X 射线衍射法可以求出单晶硅面间距离d0 和多 晶硅面间距离d，从而可以求出薄膜应力。 悬臂梁法原理：将长方形薄膜衬底一端固定，形成一个悬臂梁，当梁发生弯曲时，表1 中公 式成立，可根据公式求出薄膜应力。 圆片法原理：此法主要是针对用CVD 法生长的多晶硅膜，当应力作用时会对膜的圆衬底产 生碗底状形变，量测出曲率半径R ，可根据表1 所列公式求出内部的薄膜应力。 表1 应力测试方法公式及其说明 应力计算公式 符号说明 X 射线衍 σ: 薄膜内应力 射法 µ: 衬底的泊松比 E: 衬底的弹性模量 d0: 单晶硅面间距 离 d: 多晶硅面间距离 悬臂梁法 σ: 薄膜内应力 E: 衬底的弹性模量 B: 衬底厚度 µ: 衬底的泊松比 h: 薄膜厚度 l: 薄膜长度 δ: 变形量 电子发烧友 电子技术论坛 圆片法 σ: 薄膜内应力 E: 衬底的弹性模量 B: 衬底厚度 µ: 衬底的泊松比 h: 薄膜厚度 R: 圆薄膜曲率半径 谐振频率法原理：对于均质等截面的悬臂梁，其自由振动的一阶固有频率fR 与弹性模量E 的关系为： (1) 其中：l—悬臂梁长度； h—梁厚度； ρ—材料密度； E—弹性模量。 残余内应力使梁受轴向应力σ作用，受轴向应力的梁其频率方程为： (2) λ1 和λ2 满足以下关系： (3) (4) 其中：ω— 固有频率； e—应变，e=s/E ； A—梁截面面积； I—惯性矩； λ1 和 λ2 —应变波波长。 因此，当已知弹性模量E ，并测得梁的一阶固有频率后，通过以上几式可求出应变e，然后 根据s=eE 可求出应力。 谐振频率的测量装置如图1 所示。 三、微机构薄膜——应变检测 电子发烧友 电子技术论坛 随着MEMS 系统的微型化，传统的应变测试方法已不能满足测试要求，因此有必要采用新 的测试方法。 目前，测试