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不同减划技术对硅片良率影响的分析研究 林杰 纪莲和 王文赫 北京智芯微电子科技有限公司 X 关注成功！ 加关注后您将方便地在 我的关注中得到本文献的被引频次变化的通知！ 新浪微博 腾讯微博 人人网 开心网 豆瓣网 网易微博 摘????要： 目前随着集成电路技术的不断发展, 工业应用等级的不断提高, 其芯片硅片朝着高密度、高性能、轻薄化的方向不断发展, CPU芯片甚至已到10纳米以下, 集成度非常高。为了满足小型密集化产品的市场需求, IC封装的技术需求, 对硅片减薄的地位和要求也越来越高, 减划的质量直接影响到芯片晶粒的好坏。本文从不同减划工艺方式, 技术参数和特点等, 对硅片的减划后的良率影响进行分析讨论。 关键词： 硅片; 背面减薄; 划片; 良率; 作者简介：林杰, 男, 学士, 多年从事半导体封装工艺工作, 熟悉IC封装的全套工艺流程, 研究IC前端的工艺实现。 基金：国网信通产业集团综合计划项目《多频段射频识别产品开发》 (项目编号:52680016005T) 0 引言 随着我国经济的不断发展, 无论是在民用还是工业级应用、军工应用, 对集成电路产品的需求量也逐日增加。且随着产品的小型化和密级化的趋势影响, 对集成电路的技术的改进创新和产品的高可靠的性能要求也日益紧迫。当前, 以集成电路为核心的电子信息产业超过了以汽车、石油、钢铁为代表的传统工