ＥＢ和光学混合光刻工艺技术.pdfVIP

湖南 ·长沙 EB和光学混合光刻匹配工艺技术 于向东，高贵芝 (中国华晶电子集团奋司，无拐214061) 摘要:论述了在同一衬底基片上分别长用EB直写微细图形(深亚微米或纳米级图形)和光学 光刻粗线条图形(几微米或几十微米的图形)的泥合光刻工艺技术，以期达到提高EB在直写 阅片中的生产效率，并以。一4fim姗条约GaAs器件为例做了混合光刻的工艺实脸，获得了良好 的实脸结果，提出了在混合光刘技术中对EB设备选择的列式。 关健词.EB;光学;混合光刻;匹配 1 引 言 随着GaAs微波器件朝着超高频大功率方向的迅速发展，以及超导器件和纳米技术的不 断研究开发，采用纳米级圆形束矢量扫描电子束曝光系统在圆片上进行深亚微米或纳米级图 形的直写刻蚀技术 ，越来越广泛地被采用，成为深亚微米或纳米级微细图形刻蚀的主要手段和 极重要的工艺技 术 ，成功地研究和开发了新一代 高性 能的各种特种器件。 根据经验，在EB直写中为了获得优良的深亚徽米和纳米级图形的Gl)值，EB的束斑尺寸 均需选定为落1/4线宽为最宜。这就是说，如果要直写。.1pm(100nm〕的线条图形，EB的团 形束班尺寸应选定为25nm为宜 众所周知，在任何的器件设计与制造中，除了微细图形之 外，在同层次和其他层次中都会具有微米级，甚至是十几微米或几十微米的光刻图形。如果在 EB直写中用纳米级束斑来写这些粗图形，其生产效率必然会受到严重的制约，应该说，其效率 是十分低的。显而易见，为了提高EB直写的生产效率，最有效的方法就是采用如图1所示的 EB和光学的混合光刻工艺技术。 匹配 巨 EBAV 一~--一~ 一~- 一~一~_~~J --‘一 ’_I 图1 EB和光学混合匹配光刻 第十居全国电子束离子束光子束学术年会 2 实验条件、步骤和结果 在EB和光学混合光刻工艺技术中，最关键的核心技术是EB系统和光学光刻机(包括接 触光刻机和stepper光刻机)的对位匹配和对位匹配的精度。应该指出的是，两者的对位匹配 和对位匹配精度，只能依赖于EB系统的寻找对位标记的能力和精度。 下面我们给出采用LeicaVB-5HR型纳米级圆形束矢量扫描EB系统，在已经用了一般 接触光刻机光刻了源漏图形的3英寸GaAs圆片上，直写。.4pm栅的混合光刻实验条件和结 果。 实验步骤 : (1)用接触光刻机在3英寸GaAs圆片上刻N漏图形; (2)在已用接触光刻机光刻好源漏图形的3英寸GaAs圆片上，涂上EB抗蚀剂，烘焙后， 放人LeicaVB一5HREB系统中直写0.4larn栅。 EB直写工艺条件: (1)抗蚀剂层 抗蚀剂: AS(PMMA0.5%) 抗蚀剂厚度:0.4fcm 拱烤: 180℃热板烘烤5分钟 (2)直写时EB 系统参数 电子枪(阴极) TFE:50kV 曝光电流:40nA 场尺寸:0.8192mm 地址尺寸:12.5nm 曝光剂量:400MC/c.Z 对准标记:采用原接触光刻时的一般十字标记图形 (3)显影 显影液:MIBK:IPA 1:3 显影时间 :2分钟 实验结果 : 获得EB直写栅与接触光刻机光刻的源/漏图形的高精度对位的混合光刻。EB直写栅的 匹配精度估计在十几纳米之内。其结果如图2所示。 由上所述不难看出，采用EB直写和光学光刻的混合光刻工艺是既能满足微细图形，又能 提高生产效率，实现小批量生产特种器件，也是研究