真空感应熔炼靶材磁控溅射生产高阻值薄膜电阻器.docx

Ξ真空感应熔炼靶材磁控溅射生产高阻值薄膜电阻器王绪亭+毛大立王家敏张澜庭毛立忠吴建生(上海交通大学材料科学系高温材料及高温测试开放实验室,上海,200030)(+上海无线电一厂,上海,200063)摘要介绍了用真空感应熔炼方法生产用于高阻值薄膜电阻器的磁控溅射靶材,并报告了用这种靶材进行薄膜电阻器生产的溅射工艺参数和热处理方法,以及电阻器的电学性能测试结果。实际生产表明,这种用真空感应熔炼方法生产的靶材,完全能用于薄膜电阻器的磁控溅射并能得到满意的薄膜电阻器的性能指标。关键词真空感应熔炼靶材溅射薄膜电阻器2镀膜材料的选择和镀膜靶材的制备薄膜材料和体材料具有许多不同之处,对体材料的电阻特性,一般用电阻率的概念,如纯金属的电阻率Θ在给定温度下为常数;而对薄膜材料如金属膜电阻,其电阻率Θ和电阻温度系数TCR随膜层厚度的变化而不同,一般规律如图1所示。由图中可知,金属膜的电阻率Θ不是常数,而是随膜厚d的增加而逐渐减小,到达一定厚度之后,趋近体材料的电阻率。随着厚度的减小,温度系数由正值逐渐变小,经过零值之后变成负值。因此对薄膜材料而言,常用薄膜方阻R□来表示电阻性能而不用电阻率,薄膜方阻R□与电阻率的关系为:R□=Θ?d,其中Θ为电阻率,d为薄膜厚度。引言1目前国内外已广泛采用溅射技术(包括直流、磁控、射频、反应溅射等),进行规模化的薄膜电阻器生产。自80年代末90年代起,国内一些单位对高阻值电阻薄膜的镀膜材料进行了研制,如用合金粉1,2或用粉末冶金靶材3作为镀膜材料,用于真空蒸镀或磁控溅射制备薄膜电阻器,但这些镀膜材料要真正应用到电阻器生产上,还需做进一步的努力,所以,国内的不少厂家仍然使用着进口靶材作为镀膜材料。我们自90年代初起,采用真空感应熔炼的方法开始试制溅射靶材4,5,并将其作为镀膜材料进行实际电阻薄膜的沉积。实践证明,用真空感应熔炼方法制备的靶材是可以应用于实际金属膜电阻器生产的,质量已能达到同类进口靶材,而且这种靶材还可适用于金属氧化膜、熔断膜电阻器的生产。本文介绍了中高阻值和高阻值电阻薄膜的镀膜材料的选择,镀膜靶材的真空感应熔炼制备工艺,薄膜电阻器溅射参数的确定和热处理工艺,并报告了电阻器的有关电学性能的测试结果。图1金属膜的电阻率和电阻温度系数与膜层厚度的关系RelationshipbetweenresistivityandTCRofmetalthinfilmresistorsandfilmthicknessFig1Ni2Cr系合金电阻率高,电阻温度系数小,是传统的电阻材料。与纯组元相比,金属固溶体的形成总是伴随着电阻的增大和电阻温度系数的减小,因此在合金中添加Si等元素,可以增加合金电阻率和降低Ξ国家自然科学基金资助项目初稿收到日期:1997204207终稿收到日期:1997207222260《功能材料》1998,29(3)电阻温度系数,以Ni2Cr系为基的合金常作为中等阻值以下电阻薄膜(R□5008)的镀膜材料,但这些合金却不能满足更高阻值的使用。为了获得更高阻值的薄膜镀膜材料,我们选择了以铬硅化物为基的材料。Cr2Si系镀膜材料,其特点是电阻率高,电阻温度系数小,电学性能稳定性好。我们设计的镀膜靶材中Si的含量高于50wt%,Cr的含量为40wt%以上,另外还添加了一些其他元素。在一定的温度下,靶材中形成的组织为CrSi2和Si等。CrSi2的电阻率要大于纯组元元素,表16,7是有关元素和化合物的数据比较,其中也列出了我们设计制备的镀膜靶材的数据,从中可见,我们设计的镀膜靶材电阻率要比纯元素的大许多。表1靶材与有关元素和化合物的数据比较Table1ComparisonofdesignedtargetwithsomeelementsandcompoundsCr的熔点在1800℃以上,对于真空感应炉来说,该熔点已超过一般真空感应炉设备的极限温度,Si的熔点虽然低于Cr(在1400℃左右),但是Si是一种非金属半导体元素,真空感应炉不能感应,在熔炼中采用了特殊方法而得到解决。精密铸造具有铸件尺寸精度高、表面光洁度好等优点,烧铸出的毛坯质量与浇注时模壳温度及浇注温度有关,模壳温度一般为600℃。由于镀膜靶材在溅射使用过程中,靶材表面会发热,在阴极要采用水冷,靶材的背面需要焊接Cu板,而且靶材的表面要保证一定的平整性,因此必须对靶材的表面进行机加工。3中高阻值和高阻值电阻薄膜的镀膜工艺和热处理薄膜材料具有与体材料不同的特性,其结构与性能都呈现出不同于体材料的特点。在薄膜中除了同体材料一样的声子散射和杂质电子散射造成电阻外,薄膜内多于体材料的缺陷如晶界、表面等会产生附加的散射而造成电阻的增加,对给定成分的材料,薄膜的电阻值与薄膜的厚度成反比,即薄膜越薄,电阻值越高,因此可以用控制溅射参数,如溅射功率、溅射时间等,得到所要