等离子体_大束流注入下晶片的保护神.doc

等离子体——大束流注入下晶片的保护神 陈 林 (电子工业部第四十八研究所, 长沙 410111) 摘要 分析了等离子体控制晶片表面电荷积累的机理和特性, 介绍了国外大束流离子注 入机在控制晶片电荷积累方面的进展。 关键词 等离子体 晶片电荷积累 电子淋浴器 P la sm a: Pro tec tor of W a f er in L a rge Beam Curren t Ion Im p lan ta t ion C h en L in (T h e 48 th I nstitu te, M in istry of E I , C h ang sh a 410111) A bstra c t T h e ch a rac te r ist ic s an d m ech an ism o f p la sm a o n co n t ro llin g w afe r ch a rge accum u la t io n a re d isc r ib ed. T h e p ro g re ss o n th e side o f la rge b eam cu r ren t io n im p lan te r in fo reg in co u n t r ie s is in t ro du ced. Keyword s P la sm a W afe r ch a rge accum u la t io n E lec t ro n show e r 引 言 等离子体控制晶片电荷积累过 1 2 由于器件的微细化, 栅氧化层薄层化, 大 程 束流注入下晶片电荷积累严重。 如对于击穿电 场为 10M V ?cm , 厚度为 0101Λm 的栅氧化层, 则要求离子注入时必须控制其偏压低于 10V , 否则就会击穿。国外 80 年代采用电子淋浴控制 晶片表面的电荷积累1 , 90 年代以后, 由于栅 氧化层越来越薄, 注入束流越来越大, 最大束 流达 30mA , 电子淋浴器的缺点越来越明显, 于 是各离子注入机厂家纷纷采用在晶片附近充入 等离子体的方法来控制晶片电荷的积累, 取得 了良好的效果。 本文综述了国外在这方面的进 展。 离子束与靶相互作用的物理机理到目前为 止尚没有完全理解。 目前人们越来越重视束的 等离子体特性的研究2 。 离子束与剩余气体碰 撞电离产生慢离子和慢电子, 电子被束空间电 荷电势捕获形成热电子, 热电子及慢离子一起 形成束等离子体。 束等离子体特性可用等离子 体探针来测量。 等离子体强烈地影响束与靶的相互作用, 如图 1 所示。 当晶片电荷积累时, 晶片与等离 子体之间存在电势差, 全部降落在一个德拜鞘 收稿日期: 1997—08—07  HYPERLINK / ? 1994-2013 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved.   数。 热电子流密度为 j e th = 4218 (2A p ?Π) Εo K T e ?e2 n e , T e 为 电 子 温 度。 层 内, ΚD = 1?2 j ip ( 1+ n ib ?n ip ) W h ite 2 已经测量电子温度范围在 1～ 5eV , 德 拜长度范围在 015～ 2mm , 与束能和束流有关。 等离子体控制晶片电荷积累的过程是: 如 果器件充电, 器件的电势高于束等离子体电势, 德拜层内的电场将等离子体内的热电子吸引到 器件上, 中和器件表面积累的正电荷; 如果器 件的电势低于等离子电势, 德拜层内的电场阻 止电子向晶片运动, 电子流减少。 因此, 等离 子体控制晶片的电荷积累过程是可以自动调节 的。由于电子能量低于 5eV , 过负冲电的危险已 不存在。 ×exp [ (V W - 5 p ) ?T e ] (2) 将 (2) 式代入 (1) 式并整理得 j ne t = j ib { (1+ Χ) + ( j ip ?j ib ) 1- ( 1+ n ib ?n ip ) 5 p ) ?T e ) } (3) ×3412A 1?2 ×exp ( (V W - p 若 j ne t = 0, 则由 (3) 整理得 (V W - 5 p ) ?T e ) = ln { 1+ (1+ Χ) j ib ?j ip ]?( 1+ n ib ?n ip ) }- ln 34 12A 1?2 ] (4) p 若 (1+ Χ) j ib ?j ip ν 1 时, 则 (V W -