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第五章 cis太阳电池的试制探索 根据三种材料的优化工艺，我们进行了Glass/Mo/CIS/CdS/Zn0/A1结构的 CIS太阳电池的试制探索。 5.1电池的制备工艺 玻璃用电子清洗液清洗后，磁控溅射Mo作为衬底。高温蒸发Ga，然后分别 直流磁控溅射10趟In,4趟Cu和20趟InCu靶溅射电流为0.3A，电压为320V; In靶溅射电流为0.2A，电压为360V。衬底加热电流为25A，硒化温度在500℃一 510℃之间，硒化30分钟。缓慢降温后得到CIGS薄膜材料。 取30mlCdCl:溶液、50mlNH,C1溶液和700ml水配制成反应溶液，放置 在加热容器中，加热容器的温度设定为96C，将CIS薄膜放入反应溶液中，反 应溶液的最终温度为87C-88C。当恒定在设定温度时，开始准备分别滴定稀 释后的硫服及氨水。硫服的滴定速率为5-7.5ml/分，氨水溶液的滴加速率为 7.5^-10ml/分。硫脉滴定的量为40ml左右，而氨水滴定的量为40^50ml 左右。水浴溶液的PH值为8^-9之间。 反应后样品经过清洗脱水风干，在压强1.5Pa,Ar:02比30:1，衬底温度 100C条件下，直流溅射Zn0(Al)薄膜，功率为35w. Al栅使用钨丝蒸发法制备。 5.2电池的测试结果 经标准电池校准的AMI.5太阳光模拟器的测试。其结果如表5.1所示。其 片的I-V曲线如图5.1所示。 表5.1电池测试结果 样品号 Voc(mV) Jsc(mA/cm2) FF 效率 300 9.33 25% 0.70% 340 8.33 25% 0.71% 355 13.56 25% 1.20% 335 9.89 25% 0.83% 280 10.44 25% 0.73% 305 11.78 25% 0.90% 穿 尽 公 一 2 3 4 5 8 7 VOC(m仍 图5.120524231号电池的I-V曲线 5.3测试结果讨论 1).电池的开路电压最好为350mV，表明电池的异质结己经建立，但距CIS电 池的开路电压(MOO)和CIGS的开路电压(700mV)还有很大的距离，这表明异 质结结构和CIGS材料中Ga的掺杂还存在一些问题。 2)，电池的短路电流密度低，表明吸收层内部还有大11的缺陷态，可能有晶格 缺陷，没有成为CIS结构的二元杂相等等，成为光生载流子的复合中心。同时 C工S薄膜比较薄，这批电池吸收层厚度估计不到lum，而按要求应达到1.5-2um 第五章 cis太阳电池的试制探索 才能将绝大部分的光吸收完。另外，窗口层Zn0及过渡层CdS的厚度还应再进 行调整，以减少光损失。 3).电池的填充因子太小有多种原因 ①吸收层CIS薄膜估计还有一些低阻的二元相存在，如CuzSe等，使得异质结 漏电严重; ②过渡层US薄膜缺少200^300℃在N,气氛中进行热处理，这时薄膜中还存在 S的单斜相。Cd和S还没有发生充分的固相反应，还没有得到结晶完好的六方 相CdS薄膜。因而这些都作为异质结内部的缺陷态，影响着电池填充因子; ③电池的各层界面不匹配直接导致串联电阻过大，在这方面还需要很好地研 究。