Ch.04集成电路制造工艺_1（二）.pptVIP

３湿氧氧化：在该方法中，氧气首先通过盛有９５℃左右去离子水的石英瓶，将水汽一起带入氧化炉内，再在高温下与硅反应。这时，与硅反应的氧化剂同时包括氧气和水汽。与干氧氧化的SiO2膜相比，湿氧氧化的SiO2膜质量略差，但远好于水蒸气氧化的效果，而且生长速度较快，其缺点是与光刻胶的附着性不是很好。 干氧，湿氧，水蒸气以及干湿干氧化等工艺装置 ４．氢氧合成氧化：它是指在常压下，将高纯氢气和氧气通入氧化炉内，使之在一定的温度下燃烧生成水，水在高温下汽化，然后水汽与硅反应生成SiO2。氢与氧的化学反应方程式为： 2H2 + O2 → 2H2O 除了以上几种热氧化法外，还有分压氧化和高压氧化等方法。前者主要用于制备薄膜氧化层小于２０nm的，通常是在氧气中通入一定比例的不活泼气体，降低氧气的分压，进而起到降低氧化速率的作用。采用分压氧化技术可以得到均匀性和重复性好的高质量薄栅氧化层，高压氧化则是主要用来制备厚的氧化层，如场氧化等。 4.3 物理气相淀积 （Physical Vapor Deposition-PVD ） 蒸发和溅射是制备金属结构层和电极的主要方法。是物理气相淀积的方法。 金属材料的要求 良好的导电性 容易形成良好的欧姆接触 与硅和二氧化硅粘附性好 能用蒸发或溅射的方法形成薄膜 易于光刻，实现图形化 常用金属材料：Al, Au, Ag, Pt, W, Mo, Cr, Ti 蒸发 在真空室中把金属加热到相当高的温度，形成金属蒸汽，在硅片表面淀积形成金属薄膜。 分类：电阻加热蒸发和电子束蒸发 真空镀膜机： 真空镀膜室：钟罩、加热器、挡板、底盘 抽气系统：10-5~10-2Pa, 真空泵和扩散泵 真空测量仪器：热偶、热阴极电离、高频火花 蒸发Al工艺 挂置Al丝，清洗并放置硅片 抽真空：机械泵、扩散泵，7?10-3Pa 衬底加热 熔球，预蒸发和蒸发 冷却、取出硅片 合金化，形成欧姆接触。577?C 电子束蒸发 利用经过高压加速并聚焦的电子束，在真空中直接打到源表面，将源蒸发并淀积到衬底表面形成薄膜。 设备：偏转电子枪真空镀膜机 优点 淀积的Al膜纯度高，钠离子玷污少 台阶覆盖性能好 采用红外线加热衬底，工作效率高 缺点：X射线破坏硅表面晶体。 溅射 惰性气体（Ar）在真空室中高电场作用下电离，产生的正离子被强电场加速形成高能离子流轰击溅射靶，靶（源）原子和分子离开固体表面，以高速溅射到阳极（硅片）上淀积形成薄膜。 分类：直流溅射、等离子体溅射、高频溅射、磁控溅射 直流溅射 设备：阴极（溅射源）、阳极（硅片），距离3~10cm 氩气压强1~10Pa 3~5V直流电压，辉光放电 特点：结构简单，可得到大面积均匀薄膜；放电电流容易随电压和气压变化，速率不易控制 等离体极溅射 热阴极发射电子，在阴极和阳极间产生等离子体。用电磁线圈产生的磁场可使等离子体在中心轴附近聚焦成等离子柱。靶上加负高压，等离子体中的正离子在电场作用下轰击靶，使源原子溅射到接地的硅片上。 特点：真空度要求低，淀积膜厚度容易控制，金属膜的纯度高。 高频溅射 在绝缘材料的背面加上一个金属电极，加上高频电压，使绝缘材料中产生位移电流，实现绝缘材料的溅射淀积。 频率：10MHz 特点：不需要热阴极，能在较低的气压和电压下进行溅射，可以溅射多种材料的绝缘介质膜。 磁控溅射 可溅射各种合金和难熔金属； 磁控溅射中衬底可不加热，从阴极表面发射的二次电子由于受到磁场的束缚而不再轰击硅片，避免了硅片的温升及器件特性的退化。 * * 微电子学概论 唐 军 0351-3920397 tangjun@nuc.edu.cn 第一章 绪论 第二章 半导体物理和半导体器件物理基础 第三章 大规模集成电路基础 第四章 集成电路制造工艺 第五章 集成电路设计 第六章 集成电路设计的CAD系统 第七章 几类重要的特种微电子器件 第八章 微机电系统 第九章 微电子技术发展的规律和趋势 集成电路设计与制造的主要流程框架 设计 芯片检测 单晶、外延材料 掩膜版 芯片制造过程 封装 测试 系统需求 功能设计 逻辑设计 电路设计 掩模版图设计 计算机仿真 集成电路的设计过程： 设计创意 + 仿真验证 集成电路芯片设计过程框架 From 吉利久教授 是 功能要求 行为设计（VHDL） 行为仿真 综合、优化——网表 时序仿真 布局布线——版图 后仿真 否 是 否 否 是 Sing off —设计业— —制造业— 芯片制造过程 由氧化、淀积、离子注入或蒸发形成新的薄膜或膜层 曝 光 刻 蚀 硅片 测试和封装 用掩膜版 重复 20-30次 基本电路结构：CMOS 截面图 电路原理图 如何加工？？？？？ 4.1 化学气相沉积 4