ESC基础培训20100811-1.docVIP

Electrostatic Chuck Basic 2 Coulombic Chuck 2 Johnsen-Rahbek Chuck 4 Bipolar E-chuck chucking scheme 6 Bipolar E-chuck chucking scheme 7 Bipolar E-chuck dechucking scheme 9 Bipolar E-chuck Schematics 10 Bipolar E-chuck Operation Scheme 10 Monopolar E-chuck 12 Monopolar E-chuck Schematics 13 Low Temp Ceramic Puck 14 Low Temp Ceramic Puck: Embossment 15 Low Temp Ceramic Puck 16 Low Temp E-chuck Puck: Electrodes 16 Low Temp E-chuck 17 Interface Box 19 Voltage on Terminals 19 Cr Assembly 20 Filter Assembly 21 RF Cable Assembly 21 RF Cable Assembly 22 Bipolar E-chuck Power Supply 23 TC and TC Amplifier 24 Power Supplies Configuration 25 Surface Contamination 26 Electrostatic Chuck Basic Lu Chiang Liang 7/25/2010 Coulombic Chuck Coulombic force on capacitor ε: alumina 8.5; quartz 3.9; PTFE 2.1 图1. 库仑原理图示 ESC原理是很简单的，依靠静电引力将硅片吸引在ESC上。静电引力即库仑力，大小受到距离及介质影响，也与电压相关。 Where are the charges? Monopolar chuck: the chucking voltage apply to the wafer through the chamber plasma 图2. 单极ESC原理示意图 单极ESC形成库仑力需要借助Plasma，从而导通Wafer与腔室壁，形成回路，类似电容充电。因此单极ESC与Wafer形成库仑力需要一定的外部条件。 Bipolar chuck: equivalent to two capacitors in series 图2. 双极ESC原理示意图 双极ESC相当于两个电容的串连，无需借助外界条件，存在Wafer，加载ESC DC，即形成静电引力，从而吸附Wafer。 图3. 双极ESC电路等效图 Can a wafer with a glass carrier be chucked? 图4. 特殊硅片Chucking原理示意图 特殊形式硅片，例如背面加载一层玻璃的硅片（TSV玻璃Wafer）也是可以形成静电引力的，但形成库仑力的几个要素都需要重新考虑，比如间距、介质等都需要考虑玻璃的因素而改变。 另外，TSV玻璃会导致硅片变形，影响Chucking Force非常严重。 Johnsen-Rahbek Chuck Low resistivity puck JR current must present Rg Re, therefore Vg Ve 图5. JR型E-Chuck原理示意图 图5. JR型E-Chuck电路等效图 JR型E-Chuck原理是20世纪中期发展的，两个物质相接触，即使双方平整度很高，但真正接触的表面也是点接触。假如两物体接触面间有电压，例如硅片和ESC表面，且认为ESC材质为低电阻率材料，且存在电流，则可认为接触点间电阻率明显高于ESC内部电阻，因此两物体间电压基本被分压在接触面上。 Field emission take place Where are the charges? Field emission saturation 图5. JR型E-Chuck微观结构原理图 JR电流在硅片背面与Echuck正面的接触点形成。在非接触点电荷无法移动，形成了静电引力。 图6. JR型与库仑型E-Chuck引力与电压关系比较图 JR型ESC比较大的一个特点是低电压状态下，能够产生比较大的引力。 Sensitive to particles How about the wafer with glass carrier? 因为JR型引力形成主要集中在接触点，因此对距离因素比库仑型ESC敏感。因此假如存在Particle，则JR