集成门极换流晶闸管（IGCT）-原理及驱动.ppt

集成门极换流晶闸管（IGCT） ———原理及驱动 一、电力电子器件的发展二、IGCT的结构和工作原理三、基于ABB不对称型IGCT—— 5SHY35L4510的驱动电路四、IGCT的应用简介及发展趋势 * 一、电力电子器件的发展 20世纪60年代开始，电力电子器件得到了迅速发展，从SCR(普通晶闸 管)、GTO(门极可关断晶闸管)、BJT(双极型晶体管)、MOSFET(金属氧化物硅场效应管)、MCT(MOS控制晶闸管)发展到今天的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、IGCT(集成门极换相晶闸管)、IECT(注入增强型门极晶体管)、IPM(智能功率模块)。每一种新器件的出现都为电力变换技术的发展注入了新的活力，它或拓展了电力变换的应用领域，或使相关应用领域的电力变换装置的性能得到改善。 1.晶闸管（SCR） 晶闸管（Thyristor）：晶体闸流管，也称可控硅整流器（Silicon Controlled Rectifier——SCR）是典型的半控器件，其电气图形如右图所示。 主要优点是：容量大，工作可靠 主要缺点是：半控，开关速度慢，对du/dt和 di/dt比 较敏感 2.门极可关断晶闸管（GTO） 门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor —GTO）是在SCR问世后不久出现的全控型器件，其电气图形如右图所示。 主要优点是：全控，容量大，工作可靠 主要缺点是：开关速度比较慢，需要门极大电流 才能实现开断，关断控制较易失败 3.电力晶体管（GTR） 电力晶体管（Giant Transistor——GTR，直译过来为巨型晶体管)，其电气图形如右图所示。 主要优点是：全控，通态压降低，开关时间短，控 制方便 主要缺点是：存在二次击穿问题，耐压难以提高， 功耗大 4.电力场效应晶体管（MOSFET） 主要指绝缘栅型电力场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。MOSFET电气图形如右图所示。 主要优点是：全控，驱动功率小，开关时间最 短、正温度系数 主要缺点是：容量小，通态压降比较大 5.绝缘栅极双极晶体管（IGBT） 绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor）其电气图形如右图所示。 主要优点是：综合了GTR和MOSFET的优点 主要缺点是：存在擎柱效应 集成门极换流晶闸管(Intergrated Gate Commutated Thyristors) 1997年由ABB公司提出。该器件是将门极驱动电路与门极换流晶闸管GCT集成于一个整体形成的。门极换流晶闸管GCT是基于GTO结构的一种新型电力半导体器件，它不仅有与GTO相同的高阻断能力和低通态压降，而且有与IGBT相同的开关性能，即它是GTO和IGBT相互取长补短的结果，是一种较理想的兆瓦级、中压开关器件，非常适合用于6kV和10kV的中压开关电路。 6.集成门极换流晶闸管（IGCT） 主要优点是： IGCT具有电流大、阻断电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、低导通损耗等特点，而且制造成本低，成品率高，有很好的应用前景。 　　 IGCT、GTO和IGBT的比较： 比较的器件及容量为:IGCT----4500V/3000A，GTG---4500V/3000A， IGBT----3300V/1200A。 The high power semiconductor device with integrated gate unit combi