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SP8810-1_V1.5.1 SD0_CLK0波形分析 Liangjin.Chen 2012-08-15 原理图和测试点 测试点 CLOSE-SOCKET 测试点 R-LEFT 测试点 CLOSE-BB R0115=0R （1） DS=3 串联0R 电阻，靠近Socket端信号过冲很大。 R0115=0R （2 ） DS=3 串联0R 电阻，靠近BB端信号上升/下降沿回沟比较大 R0115=12.1R （1） DS=3 串联12.1R电阻，靠近Socket端信号过冲比使用0R稍小。 R0115=12.1R （2 ） DS=3 串联12.1R电阻，靠近BB端信号上升/下降沿回沟减小， 上升沿回沟位置上移，下降沿回沟位置下移 R0115=22R （1） R0115=22R （2 ） R0115=33R （1） R0115=33R （2 ） R0115=52.3R （1） DS=3 串联52.3R 电阻，靠近Socket端，明显看到上升沿变缓，这样可 能导致T卡采样到的时钟后移 R0115=52.3R （2 ） 串联52.3R 电阻，回沟问题改善明显，但是驱动能力降低 靠近BB端比较（1） 靠近BB端比较（2 ） 对比几种串联电阻，下图中后2张的波形，回沟改善很大 靠近SOCKET端比较（1） 靠近SOCKET端比较（2 ） 对比几种串联电阻，电阻较小时，信号过冲比较大。电阻大时，驱 动能力弱。 R0115=22R和33R 比较（1） R0115=22R和33R 比较（2 ） 综合回沟和驱动能力来看，选择22R和33R 串联电阻都是可以的。 串联22R从驱动能力来说要好一些，上升沿比较快，delay小一些。 电容对波形的影响（1） DS=3 在R0115=0R,去掉CLK上并联的18pF电容以后，靠近BB的位置回 沟消失了，但是出现一点过冲。靠近Socket 的位置过冲很大，因为 超过示波器探头的量程，估算过冲的顶点电压估计超过4.5V ，甚至 可能到5V 电容对波形的影响（2 ） DS=3 在R0115=33R去掉CLK上并联的18pF电容以后，靠近BB串联33R 电阻，和上一页的波形相比，过冲和波形上升沿都有明显的改善。 驱动能力对波形的影响（1） R0115=0R C6514=18pF 在靠BB的位置测试，驱动能力对回沟的影响 比较明显。驱动能力越大，回沟越靠上。 驱动能力对波形的影响（2 ） R0115=0R C6514=NF 在靠BB的位置测试驱动能力越大，上升/下降沿 越陡，过冲越大