Ba065Ru035TiO3缓冲层对Ba065Sr035TiO3薄膜性能的影响研究.pdfVIP

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2018-01-12 发布于广东
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Ba065Ru035TiO3缓冲层对Ba065Sr035TiO3薄膜性能的影响研究.pdf

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吴传贵，张万里，刘兴钊，李言荣 (电子科技大学微电子与固体电子学院．四川成都610054) BSR缓冲层的BST薄膜相比，BSR缓冲层可以使BST薄膜呈高度a轴择优取向生长，抑制了界面 10订Ccm-2K-1。驰豫，提高了薄膜的介电常数，改善了薄膜的漏电流特性，其热释电系数为7．57X 这表明利用BSR缓冲层可以提高BST薄膜的热释电性能。关键词：钛酸锶钡薄膜：缓冲层；铁电介电辐射计；热释电系数中图分类号：TN213 ThinFilmsWith Buffer Bao．6sSro．3sTi03 Bao．6sSroasRu03 HighPyroelectrie WU Wan-li,LIU Chuan-gui，ZHANGXing-zhao，LIYah-rang andSolid·state ofElectronicScienceand (SchoolofMicroclectrics ofChina, Electronics,University Technology NorthJianshe Road,SichUall6]0054,China) Chengdu thinfilmswere RF witha thin Abstract：Bao．6sSro．35T103(ssDdepositedby sputteringvery on substrate．XRDshowthattheBSR PVTVSi02／Si Bao．6sSro．35Ru03(BSR)buffer patterns seeding-layer BSTthin is a-axis withBSTthinfilms affectedtheorientationof film，whichhighly textured．Comparing onPt dielectricrelaxationcartbe anddielectricconstant directlydepositedelectrode，the suppressed increasedduetoa reductionofinterface vacanciesatBST／BSR possible oxygen measurementindicatesthat current ofBSTthinfilmson were BSRbuffer reduced． Ieakage density greatly X The COe缅cientofBSTth衲filmswithBSRbuf绝ris7．57l0qCcm-2K-。at atroom pyroelectric 6V／ltm reveal results