低Z材料辐射烧蚀实验研讨.pdfVIP

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低Z材料辐射烧蚀实验研究 杨家敏 丁姚南 缪文勇 孙可煦 王红斌 郑志坚 易荣清 陈正林 王难梅 张文海 于蒸宁 崔延莉 胡听 汤晓青 (中物院核物理与化学研究所,等离子体物理国家重点实验室,成都市525一”,610003) 摘要:在星光激光装置上,以。.35y.波长激光辐照金箔靶产生的x光辐射作为辐射烧蚀源,系统地研究了低z 的C.H.和。.H..0.样品的辐射烧蚀特性,获得了几种厚度的C.H.和CAA,样品材料的质量辐射烧蚀速率和两种样品材料 的辐射烧蚀深度范围.实脸结果表明:由于样品材料CA..O,.与烧蚀源能谱匹配较好,CAA,材料的辐射烧蚀速率 和烧蚀深度大于 C.H.的值. 1引言 辐射烧蚀是间接驱动惯性约束聚变的一个重要物理过程,研究低z材料的辐射烧蚀特性能为提 高惯性约束聚变间接驱动内爆流体力学效率、优化靶设计提供参考及实验依据二同时,也为研究辐 射能量在低z材料中的传输及辐射不透明度等基础物理问题提供丰富的物理信息. 从八十年代起,国外逐步开展了一些辐射烧蚀的实验研究和探索,一‘”,观察到金、铝等高、中z 材料背侧具有一定时间延迟的辐射热波信号和中、低z材料的离化烧穿.但国际上对低z材料的辐射 烧蚀特性尚缺乏系统的研究.从95年开始我们在星光装置上探索金箔靶x光源及相应的辐射烧蚀实 验方法,进而首次提出低z材料辐射烧蚀中材料与源能谱匹配的新思想,通过打靶实验系统研究了 C.H.和C,.H.60,两种样品的辐射烧蚀过程及x光辐射能量传输机制,研究结果验证了辐射烧蚀材料与 源能潜匹配的思想. 2物理思想及实验研究方法 强x光辐射烧蚀低z材料时,山于低z材料对x光辐射的质量吸收系数曲线存在明显的K吸收边结 构,而金等离子体发射的x光辐射也具有带潜结构.因此,在低z材料的辐射烧蚀过程中可能存在烧 蚀材料与强x光辐射源能谱的匹配间题.为了研究材料辐射烧蚀及材料与源能谱的匹配问题,在星光 装登上利用0.35p。波长的激光辐照金箔靶,在金箔背侧获得干净的强x光辐射源.由于金箔背侧x 光辐射源具有明显的带谱结构,其中,位于20。一300eV和50。一800eV能区的带谱分别来源于金 等离子体的0带和N带辐射,为此,选用具有同样密度的CA和掺氧的C.IH.SO,材料作为样品(碳和氧元 素的K吸收边分别为270eV和510eV)进行辐射烧蚀的对比测量,研究烧蚀材料与源能谱的匹配问题, 通过改变样品的厚度测量不同厚度的低z样品质里烧蚀速率变化,研究低z材料中的辐射烧蚀过程; 测量每一薄层烧蚀样品的质量吸收系数曲线与常温样品的理论结果比较,研究两种样品的辐射烧蚀 深度范围.为避免激光与靶相互作用产生的冲击波对辐射烧蚀样品的影响,将烧蚀样品与X光辐射源 隔开100um间距. 3实验安排与测量 3.1诊断设备布丘 诊断设备排布如图1所示.激光束以45度角斜人射打靶,在靶前用针孔相机(空间分辨一20p m)监测激光焦斑;用平响应XRD阵列(F-XRDI)监测靶前向X光角分布;在靶后向用亚千能谱仪 (DANTE)、透射光栅谱仪仃OS,谱分辨 一0.4nm)、透射光栅配x光条纹相机系统(TC+XSC,谱分辨- 0.8nm,时间分辨一14ps).平响应XRD阵列(F-XRD2)和激光能量卡计(LC)分别测量靶后的X光能潜、 时间积分X光能谱、时间分辨X光能谱、x光角分布及透过激光能量.在靶前向还用一个平响应XRD测 盆前向X光的信号分成九路作为后面亚千能i40仪九个能道的时标信号. 3.2实验用靶结构及参数 实验用靶分为金箔源靶和辐射烧蚀靶,靶结构如图2所示.金箔靶山(0.1710.01)”。厚的金 293 箔和(0.17士0.01)um厚的Celf:底衬组成;辐射烧蚀靶的样品为密度为1.0g/cm,的C川.和C,oH,,O,两 类,每一类样品有几种不同厚度,见表工. 卜XRD1 Dante TC+XSC 图1.诊断设备排布 Au

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