低介电常数绝缘材料在亚0。25微米CMOS工艺中的研究方法研究.pdfVIP

2000年10月 ·广西 ·北海 第七届全国固体薄膜学术会议 低介电常数绝缘材料在 亚 0.25微米CMOs工艺中的研究 高腾博士 比利时IMEC研究所 简介Y 随着CNOs工艺的发展，多层金属布线成为工艺的瓶颈。当工艺水平达到亚。。2}微米 时，由于线间距的减少而导致线间电容的增大，RC延迟已到了影响芯片速度的地步 ‘寻找 其他低介电常数的绝缘材料来取代二氧化硅是减少RC延迟影响的主要方法。由于新材料的 引进而产生了相应的工艺问题。本文将比较一些常见的新材 低介电材料常见的分类方法有三种，一是按介电常数大/if、分，主要有3,5左右 (如含 氟氧化硅 S工OF)，3,0左右 (如 FOX)，和 2,7左右 (如 SILK)，2.5左右 {如 SIOC).20。以下 (如纳米胶NANOGLASS)等。二是按工艺分为旋徐法 (SPIN-ON)(如 FOX)和化学汽相淀积 (CVD) (如SIOC)。三是按材料特征分为有机材料 (如SILK)和无 机材料 (FOX)。 众所周知，二氧化硅对硅工艺来说是一种非常完美的绝缘材料。从栅极到连线绝缘 层，一般都采用二氧化硅。一般来说低介电材料的稳定性(热稳定，化学稳定)都比二氧化 硅差。如果要以低介电材料来替代二氧化硅作连线绝缘层，则需寻找合适的工艺，以不破 坏嘴欢变))11}材料的特性。 二、新材料应用的研究 我们在试验中研究并比较了一些常用的新材料，这些材料包括FOX,A418,SIOC SILK,SIOF,NANOGLASS。含氟氧化硅最然较易制成，但是其介电常数较高。为降低介 电常数，偏增加含氟量，这又导致材料不德定，且在一定状况下对金属线具腐蚀性。因此 此材料已被拍弃。NANOGLASS的低介电常数特性是来自其疏松性，材料不可道免地缺乏 强度。且其含有的有机部分易于载化，而从僧水性转为强力吸水性，而导致其介电常数大 增。其工艺合成的难度较大。最终的合成结果并没有体现其低介电的优势。 下面我们重点介绍两种材料:FOX和SIOC.并介绍我们对材料的一些研究方法。 1)FOX FOX和A418可以说是第一代低介电材料，几乎同时分别由DOWCORNING和 ALLIEDSIGNAL开发出来。它们都是用SPNI-ON技术涂层。FOX的介电常数为2e9, A418为207e前者是HSQ，为无机材料，后者是MSQ有机材料。 FOX的康合组成为H8SI8012，分子结构是笼式结构 (见图一)。此疏松结构加上Si- H的僧水性而使材料的介电常数较低。 ZIX拭】年01月 ·广西 ·北海 第七届全国固体薄膜学术会议 H\ 图一、FOX的笼式分子结构 A引8由于具有较低的介电常数，所以在开始阶段较有吸引力。然而初步的试验发现， 由于其含有大量的炭(巧%)(表现结构为CH3，是材料低介电常数的原因)，其暴露于连接 孔的部份极易在连接孔干洗时被氧化。且材料被氧化后极易吸收水汽，这些水汽在钦1氮化 钦层镀上连接孔时及镀后的脱气工艺步骤时逸出而破坏铁尹氮化钦层，导致钨塞填充失败 这就是所谓的毒连接孔。失败后的表现根据钦层的破坏程度一般有两种形式，一是空伴空 钨塞.一是隆起 (见图二)。由于被破坏的A481材料仅是暴妈于连接孔的部敬金属线上 闻，可以采用回刻ETcHBACK)方法去掉金属线上的A481材料来避免毒连拐牙L。但是 由于旋涂法工艺所产生的材料层厚度在不同的金属结构上是有较大差别的 如〔在大面积焊 盘上的厚度是喇叹加m，在。。25um线上的厚度只有 1以知m)，回刻这一额外的工艺步骤只 能减轻问题，而无法达到理想的效果。而且线宽越窄，回刻的作用越有限。 图二。毒连接孔而引起的隆起现象 在试验FOX时，我们也发现类似的毒连接孔的间题，虽然不很严重，但己足以影响 到合格率。分析表明，FOX里的-slH棒较脆弱，易被氧化而成为二氧化硅类物质。在一 般的氧化中，此材料氧化为疏松的二氧化硅，且从抗水性变为