低剂量率效应及其模拟试验研究.pdfVIP

低剂量率效应及其模拟试验 宋钦峡 (航天九院七七一所 西安太乙路八号 ”0054) 摘 要 本文是抗辐射预研 “国际上先进的加固技术跟踪研YC田那分研究成 砂 果.通过文献调研，综述了新近发展的低剂t率效应，美军标NIL-STD-883D总剂f 试验方法1019.4和其他低剂里率效应模拟方法等.对深入研究空间辐射效应有一定 侧口 指导意义。 关健词 低剂tI率效应，总剂盆试脸方法 引言 CMOs器件的电离辐射效应与剂是串大小密切相关.随着对电离辐射效应的 深入研究，逐渐七注意力集中到低剂量率的研究上，目前已成为一个热门课题。 在空间飞行的卫星系统承受非常低的剂量率的总剂量照射，剂盆率可以低 到百分之几拉德(硅/)秒的空间辐射环境，其剂盘率为。08rad(Si)/S.早期美 军标MIL-STD-883C总剂量试验方法1019.3，用C00.源高剂量率来模拟空间的电离 辐射效应，规定剂量率为50-300rad(Si)/S，与空间实际照射的剂里率相差甚 远，结果会有很大差别， 随着低剂纽率效应研究的深入，提出了一个改进的NIL-STD-8330.1019.4 总剂量辐射效应试验方法，与试验方法1019.3相比，有较大的修正，更接近于 声脚 运行卫星系统实际的总剂量效应.后来的研究发现，1019.4试验方法结果有些 过分保守，专家们又提出了新的模拟方法，只是这些改进的方法还没有成为标 创盯 准。 本文通过对低剂量率效应的文献跟踪，综述了低剂量率效应及其模拟试验 一文。希望从事该项研究的专家能注意到这个新的动向，对他们总荆里效应和 加固技术研究有所带动 2低剂纽率效应 电离辐射效应是半永久损伤，辐射后产生的损伤可以部分恢复。这个恢复 409 宋钦歧:低荆t率效应及其 过程目前还不能完全确定。目前普遍认为电离辐射效应退火存在下列四个过 程: (1)空穴向界面的迁移和俘获。产生正空间电荷。 (2)界面态的产生。 (3)正空间电荷的退火。 (4)界面态的退火。 通过研究 己证实，上述每个过程需要不同的时间。通过文献调研得到在室 温下完成每个过程50 所需时间分别如下: 正空间电荷形成 IT秒‘ IMV/cm场强 界面态产生 20 1MV/cm场强 正空间电荷的退火 5X105秒 1MV/cm场强 界面态退火 10，秒 界面态的退火值由室沮下数据外推所得。 不同工艺制备的器件可以有不同的退火过程，有不同的退火过程时间。 由于电离辐射效应的四个过程有不同的时间，则在不同时间下产生不同的 电离辐射效应。高剂量率照射、照射的时间短，主要是产生正空间电荷，经退 火才能产生界面态;而低剂盘率照射，照射的时间长，开始以正空间电荷产生 为主，逐渐的转化到形成界面态。由于正空间电荷与界面态对CMOS器件产生的 影响各不相同，因此产生的电离辐射效应，存在明显的差别。 图1示出了用辐射加固工艺制备的n沟晶体管在不同的剂量率下阐值电压 漂移△V，与总剂爱的关系.图1有A和B二种类型器件，用加固的Honey-well体 硅itiCMOS工艺制备。其中类型A的栅氧化层厚度为300埃，没有用轻掺杂的漏 (LDD),类型B的榴氧化层厚度为250埃，带轻掺杂的翻。从图中可以看到，这二 种类型样品有不同的电离辐射效应特性。图中辐照剂f