低温低压外延工艺技术研讨.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 低温低压外延工艺技术研究 中国电子科技集团公司第24研究所 李智囊 1 引言 由于常压硅外延工艺淀积温度高，杂质的固相扩散和自掺杂难以控制，外延层与衬 底交界面处杂质浓度过渡区分布缓变，不可能形成陡峭的杂质浓度分布，使得高温外延 很难制得较窄的PN结和性能理想的半导体器件。1970年BOSS等人采用了一种新的外延 工艺——低温低压外延工艺，有效减少了高温外延对器件带来的自掺杂的严重影响。现 在低温低压外延工艺技术已经倍受人们关注，它是当前超大规模集成电路和一些高压特 殊器件急需发展的新技术，在发展其它新型器件如异质结晶体管、高速器件以及光电子 器件中，都具有十分重大的意义。利用低温低压外延技术可以制作出晶体结构完整、界 面过渡区杂质分布陡峭的外延层，而且易于工业化大生产，在薄硅外延层以及重掺杂衬 ’ 底外延层的制备方面具有良好的应用前景。 2 原理 低压环境改变了反应室中的气体流动，使源气体分子占主导地位，比较复杂的气流 环境变得简单，原来的紊乱气流变成层流气流。同时，气体的分子密度变稀，分子的平 均自由能增大，杂质的扩散速度加快，因而由衬底逸出的杂质能快速地穿过边界层被主 气流排除出反应室，使得这些杂质重新进入外延层的机会大大减少。正是因为在低压条 件下分子的平均自由能增大，反应温度就可以大大降低，从而有效抑制了因高温产生的 杂质扩散，减小了自掺杂对外延层杂质浓度分布的影响，因而可以得到比较陡峭的杂质 分布。再加上反应系统处于低压状态，当反应停止时，反应室中残存的反应剂和掺杂剂 也能迅速地被排除掉，进一步缩小了衬底与外延层之间的过渡区，并能很好地改善厚度 及电阻率的均匀性，减少了埋层图形的漂移和畸变。另外，由于低压下氢气的分压降低， 硅原子在表面迁移时受到的阻碍减小，很容易结合到晶格中，减少了外延层中的层错和 位错，更有利于形成平整光亮的外延层。 3 实验 实验利用进口的美国AMC781l减压桶式外延炉来进行，硅源为siH2cl。气体，掺杂源 为氢气稀释至lOOpmm的PH。气体。选用硅片为n+掺As(111)硅衬底免洗片，其电阻率为 0．002,--,0．004 Q．cm。硅片的掺杂分布用扩展电阻法得出，硅片的厚度分布用红外测厚仪 来测量。 3．1压力的影响： 3．1．1压力对生长速率的影响： 反应室内压力降低，由于反应剂分压变小及生长动力学控制过程发生变化，在硅源 摩尔浓度相同时，生长速率一般比常压低。当压力一定的条件下，适当增加硅源的浓度， 生长速率会随之增加。当生长温度和硅源浓度一定时，降低反应室的压力，生长速率也 会发生变化，虽然低压下硅的转换效率会加快，但随着压力的降低，其生长速率也会随 之降低。表1比较了在相同温度和相同的硅源浓度下，不同压力条件下由红外测厚仪测 量的样品片内5点(标准抽样点)厚度。 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 表1 压力与生长速率的关系 样品 生长温 生长时间 压力 SiH2c12浓 外延层厚度(um) 编号 度(℃) (min)(Torr)度(M／m)14 2“ 34 44 54 A 1050 10 80 300 3．36 3．35 3．42 3．34 3．3l B 1050 10 60 300 3．34 3．31 3．34 3．31 3．29 C 1050 10 40 300 3．27 3．27 3。27 3．27 3．28 由表l可以看出随着压力的降低，生长速率有微小的变化，但其降幅很小。当然如 果反应室压力变化特别大时，其生长速率的变化也要大得多。 3．1．2压力对外延层厚