电子工艺实习报告810113152.docVIP

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电子工艺实习报告810113152

一、实习目的 1、学习电子设计仿真软件《Electronics Workbench》的使用,利用它进行电子电路的设计仿真。 2、学习电路板设计软件《Protel 99se》的使用,并利用它进行实际电路的印刷电路板设计。 二、实习内容: 1、学习《Electronics Workbench》的使用,测试三极管的输入输出特性曲线: ?原理图。 选取元件:点击元件库,在元件库中选取电流表、电压表、电源(2个)、地线、三极管,点住鼠标左键将其拖入页面中(如果元件选取错误,可以点击鼠标右键选择delect进行删除)。 调整元件:点击鼠标左键,将元件拖入合适的位置。 修改元件属性:鼠标双击元件,电源进行相应的调整,三极管选择motorola1→BC394。 连接电路:点击元件的连接点,会出现黑点,拖住鼠标连接到另一元件的连接处,这时放开鼠标即可。 ?B测试项目:晶体三极管输入特性曲线的特点。 输入特性: 图是三极管的输入特性曲线,它表示Ib随Ube的变化关系,其特点是: 1)当Uce在0-2伏范围内,曲线位置和形状与Uce有关,但当Uce高于2伏后,曲线Uce基本无关通常输入特性由两条曲线(Ⅰ和Ⅱ)表示即可。 2)当Ube<UbeR时,Ib≈O称(0~UbeR)的区段为“死区”当Ube>UbeR时,Ib随Ube增加而增加,放大时,三极管工作在较直线的区段。 3)三极管输入电阻,定义为: rbe=(△Ube/△Ib)Q点,其估算公式为: rbe=rb+(β+1)(26毫伏/Ie毫伏) rb为三极管的基区电阻,对低频小功率管,rb约为300欧。 ?测试结果。 Ube(V) Ube(V) Ib(uA) Uce(V) 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 0 0uA 0uA 0uA 0.063uA 3.028uA 144.6uA 6.907mA 325.9mA 10.5 63.83A 143.0A 6 0uA 0uA 0uA 0uA 0.002uA 0.096uA 4.608uA 220.1uA 10.51mA 492.7mA 13.97A 12 0uA 0uA 0uA 0uA 0.002uA 0.096uA 4.607uA 220.1uA 1051mA 492.7mA 13.97A ?数据处理。 ?结论 Ib与Ube之间的关系: Uce(V)一定时,Ube在一定范围内增大时,Ib始终接近于0;当Ube超过一定范围后, 随着Ube的增大,Ib猛然近似于垂直增大。 2、单级放大器放大倍数的测试: ?原理图。 1. 选取元件:点击元件库,在元件库中选取电流表(2个)、电压表、电源、地线、三极管、直流电流源,点住鼠标左键将其拖入页面中(如果元件选取错误,可以点击鼠标右键选择delect进行删除)。 调整元件:点击鼠标左键,将元件拖入合适的位置。 修改元件属性:鼠标双击元件,电源、直流电流源,进行相应的调整,三极管选择motorola1→BC394。 连接电路:点击元件的连接点,会出现黑点,拖住鼠标连接到另一元件的连接处,这时放开鼠标即可。 ?测试项目:输出特性曲线的特点。 (此图为百度文库载) 输出特性: 表示Ic随Uce的变化关系(以Ib为参数)从图所示的输出特性可见,它分为三个区域:截止区、放大区和饱和区。 截止区当Ube<0时,则Ib≈0,发射区没有电子注入基区,但由于分子的热运动,集电集仍有小量电流通过,即Ic=Iceo称为穿透电流,常温时Iceo约为几微安,锗管约为几十微安至几百微安,它与集电极反向电流Icbo的关系是: Icbo=(1+β)Icbo 常温时硅管的Icbo小于1微安,锗管的Icbo约为10微安,对于锗管,温度每升高12℃,Icbo数值增加一倍,而对于硅管温度每升高8 ?测试结果。 Uce(V) Uce(V) Ic(mA) Ib(mA) 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 3.0 6.0 9.0 12.0 0 0.1mA 0.2mA 0.3mA 0.4mA 0.5mA 0.601mA 0.701mA 0.801mA 0.901mA 1.001mA 3.004mA 6.009mA 9.015mA 12.02mA 20 64.97uA 1.537mA 2.361mA 2.391mA 2.396mA 2.400mA 2.404mA 2.408mA 2.412mA 2.416mA 2.495mA 2.615mA 2.734mA 2.853mA 40 137.2uA 2.769mA 4.124mA 4.174mA 4.182mA 4.189mA 4.196mA 4.202mA 4.209mA 4.216m

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