应用微波等离子体化学气相沉积法选择性生长定向碳纳米管阵列研究.pdfVIP

应用微波等离子体化学气相沉积法 选择性生长定向碳纳米管阵列 赵约瑟曾葆青田浩希赵艳珩张文锋 (电子科技大学物理电子学院四川成都610054) 摘要： 应用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)在含有图案化的Ni催化剂薄膜上选择性的 沉积了定向有序碳纳米管阵列。甲烷(CH4)和氢气(H2)作为反应气体，通过扫描电镜观察 到所沉积的碳纳米管阵列仅仅生长在沉积有Ni催化剂的图案上，实现了碳纳米管的选择性生长 及可控生长。同时对碳纳米管的生长机理进行了探讨，发现等离子的位置对碳纳米管的生长具 有很大的影响，只有等离子体在基片的上方的时候才能够生长出定向有序的碳纳米管阵列。 关键词：微波等离子体，碳纳米管，选择面积生长，生长机理 一．前言 自1991年日本电镜学家Iijima发现碳纳米管以来，由于碳纳米管具有许多独特的性质 和广泛的应用前景，例如：电子场发射“。51、扫描探针和传感器”’”，氢存储”’1…，纳米电子器件 …““。因此它受到了科学家的广泛的关注和研究。特别是碳纳米管可用作场发射平板显示器的 尖端发射体，这一应用是迄今为止碳纳米管唯一的商业应用。 选择面积生长定向碳纳米管阵列是制造基于碳纳米管场发射显示器的关键技术，同时也 是实现基于碳纳米管的微电子器件的必要条件。目前，定向碳纳米管的制各方法只要分为以介 孔材料为基板的化学气相沉积法和以非介孔材料为基板的化学气相沉积法。其中，非介孔材料 为基板合成碳纳米管阵列的工艺简单，可以合成直径比较大的碳纳米管。本文通过磁控溅射手 段，在Si片上沉积图案化的Ni膜．采用微波等离子体话写气相沉积法制备出了图形化定向有 序碳纳米管阵列。同时本文还对定向弹纳米管的生长机理进行了讨论。 二．实验过程 1．实验材料 个。 甲烷作为生长气体，氢气作为稀释气体，同时氢气在生长过程中还起到还原作用。合成碳 纳米管的设各为本实验室自行研制的微波等离子体化学气相沉积装置(图1)，甲烷和氢气的纯 一 度均大于99．99％． 2．操作过程 在衬底放入生长室之前先使用丙酮和酒精顺序在超声水域中进行清洗各lOmin．以去掉衬 底表面的油污和灰尘。将衬底放入生长室的样品台上，生长室被预抽真空到2Pa，然后通入H。， 基底上方的强烈的高活性等离子体球，Hz等离子体球处理衬底1小时后，通过调节短路活塞， 使等离子体的底部与基片相距约101lⅡ11的距离，在微波功率、压强和Hz流量不变的情况下。通入 生长气体cH4，流量为20sccm，生长时间为lOmin。 所获得的样品用扫描电子显微镜观察其表面形貌。 213 剀l：微波等离子体化学气=f_fj沉积装置 三．结果分析与讨论 幽2：【划案化碳纳米管阵列全貌幽 214 吲：；：c弘个K条的碳纳水管形貌㈨ 图4：碳纳米管阵列的局部高分辨率扫描电镜照片 倒2为样晶的低倍扫描电镜照片，剀：j为单个长条的碳纳米管的形貌，从幽2和幽3可以 看山，碳纳米管阵列仅仅生K在镀有催化剂的K条内，其余位置均未发现碳纳米管，实现了碳 纳米管的受控生f≤=及选择性生K。 一般认为在CVD法生成CNTs过榭中，过渡金属扮演着重要的角色。在沉积过程中Ni颗粒 起着成核的作J；{{．赴高温r，由于微波等离予体的作州，甲烷裂解获得的碳原子渗透进入并熔 解于金属Ni颗粒中．扩散形成金属一碳合金，山于碳原子的扩散被限定于Ni颗粒中，冈此当扩 散1二健化剂颗粒中的碳原予达到一定数量时．就会到达饱和状态而开始在催化剂某个方向的外 表面上析出．此后，裂解的碳原子不断熔1i催化剂颗粒中并不断溢出，从而生成碳纳米管，洲 此，催化剂颗粒的大小就决定了碳纳米管的直径，观察幽4发现碳纳米管是成求定向生K的， 每～束的直径大约是500nm，这与预先镀的Ni催化剂的厚皮～致，而每束里单根碳纳米管的直 径火约为50nm，山此，我们推测艇化卉|』溥膜n：氢等离f体nqn：川r，傩化剂熔解分散为500nm