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光致变色液晶高分子信息存储材料研究进展 张会旗 李晨曦 黄文强 何炳林 (南开大学吸附分离功能高分子材料国家重点实验室, 高分子化学研究所, 天津, 300071) 提要 光致变色液晶高分子以其独特的优点在信息存储领域显示了光明的应用前景, 成为目 前国际上研究的热点。本文系统阐述了光致变色液晶高分子的研究概况、光信息存储机理以及信息 存储应用方面的研究进展。 关键词 光致变色液晶高分子, 可逆光信息存储 1987 年 E ich 等 人6, 7 提 出 了 光 致 变 色 液 晶 高 分 子 信 息 存 储 的 光 记 录 方 法 ( P ho to n 2 m o de w r it in g) , 其基本原理可以用图 1 说明。 前言 光致变色液晶高分子是指同时具有光致变 色性能与液晶性能的高分子材料。 其最早报道 见 于 1983 年, T a lro ze1 及 F in k e lm an n 2 等 人 将光致变色偶氮染料掺入液晶高分子内, 得到 了掺杂型光致变色液晶高分子。 同年, F in k e l2 m an n 等人2 与 R in g sdo rf 等人3, 4 将介晶单体 与偶氮染料单体共聚, 得到了侧链上同时含有 偶氮基团与介晶基团的光致变色液晶高分子。 1985 年, Co le s 等人5 首先对光致变色液晶高 图 1 光致变色液晶高分子信息存储原理示意图 分子的信息存储性能进行了研究, 此后光致变 色液晶高分子信息存储材料的研究便日益活跃 起来, 并很快成为信息存储领域研究的热点。本 文重点介绍了光致变色液晶高分子信息存储材 料的研究进展。 液晶高分子的介晶基团 反式偶氮基团 顺式偶氮基团 图 1A 是经过取向的含偶氮基团的光致变 光致变色液晶高分子信息存储 材料的信息存储机理及其优点 1 张会旗 1969 年生。1991 年毕 业 于 南 开 大 学 化 学 系 高 分 子 专 业, 获理学学士学位。 随后在本 校 化 学 系 高 分 子 专 业 攻 读 硕 士 学 位, 因 成 绩 优 秀 于 1993 年 被 推 荐 到 南 开 大 学 高 分 子 化 学 研 究所攻读博士学位, 在何炳林教 授指导下从事光致变色液晶高 分 子 的 合 成 与 研 究 工 作。1996 年毕业, 获理学博士学位。现为天津大学应用 化学系讲师, 主要从事新型光致变色液晶高分子的合 成与研究工作。 1985 年 Co le s 等人5 提出了光致变色液晶 高 分 子 信 息 存 储 的 热 记 录 方 法 (H ea t2m o de w r it in g )。 即利用强激光照射预先取向的光致 变色液晶高分子样品, 激光照射到的局部区域 吸热温度迅速升高转变成各向同性的熔体, 光 源移走后各向同性的熔体很快冷却成蜂窝状与 焦锥状的光散射中心, 信息输入完成。 不过, 利  色液晶高分子的向列相示意图。 在强偏振激光 照射下, 受照射的局部区域吸热升温至液晶相 温度, 同时偶氮基团发生顺反异构化而由棒状 的反式结构转变成弯曲的顺式结构, 从而对其 周围的液晶相产生扰动, 使其由各向异性转变 为各向同性 ( 见图 1B ) , 光源移走后受照射的区 域迅速冷至玻璃化温度以下, 所记录的信息便 冻结起来, 信息输入完成。 与热记录方法相比, 光记录方法具有可实 现高分辨率与多重记录的优点8 , 所以光记录 方法很快取代了热记录方法而成为光致变色液 晶高分子记录信息的主要方法。 性读出问题。第四, 其信息存储过程是在其玻璃 化温度 (T g ) 以上进行的, 存储完毕后降温至 T g 以下, 这样, 光记录时光致变色基团通过光异构 化引起的体系折射率变化就会被冻结起来, 即 使光致变色基团因热回复异构化回到其光照前 状态 (对于偶氮化合物即 c is→t ran s) , 这种折射 率变化也不会消失, 因此使信息存储的热稳定 性大大提高, 甚至可以实现永久存储, 而且记录 的信息又可以通过将光致变色液晶高分子加热 至其清亮点温度以上或利用激光照射处于液晶 相温度的光致变色液晶高分子而消除。第五, 由 于偶氮等光致变色基团具有很好的抗疲劳性, 因此可以实现多次重复擦写信息。可见, 光致变 色液晶高分子是非常有应用前景的可逆光信息 存储材料。 1988 年 Ik eda 等人9 又提出了光致变色液 晶高分子信息存储的光诱导等温相转变方法 ( P ho to ch em ica lly in du ced iso th e rm a l p h a se t ran sit io n o f th e m a t r ix PL C ’s)。 该方法与