国标-》氧化钇稳定氧化锆陶瓷烧结特性与性能研究.docVIP

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国标-》氧化钇稳定氧化锆陶瓷烧结特性与性能研究

硅酸盐通报1997年增刊 氧化钇稳定氧化锆陶瓷烧结特性与性能研究‘ 安胜利 赵文广 安立国 徐广尧 (包头钢铁学院014010) (包头钢铁公司) 摘要:对Y2Q~ZrOz陶瓷材料的烧结特性进行了实验研究。利用扫描电子艟微镜、x光衍射仪、V氏6竖垤仅等 研究了氧化钇部分稳定氧化锆在不同烧结温度下的显微组织、相比例、断裂韧性等。实验证明.在16I)lJI’F烧结的 Y2鸭一z鹏试样,组织致密并具有较高的抗弯强度值。所制Y2晚一z“)!陶瓷断裂韧性可达5,61一了,13MPa· m∽。 关键词:zroj,Y2q,烧结,断裂韧性,相比例.抗弯强度 1.引 言 1600℃,升温速率4℃/min,降温速率lOt:/ 氧化钇稳定氧化锆陶瓷材料具有良好的氧 rain,气氛为空气。 离子导电性、高强度、高韧性和耐高温性,因此 采用三点支撑法测定其强度。测定仪器为 作为圆体电解质在许多领域得到了广泛的应 LJ一1500型电子万能试验机,样品尺寸为4,0 用,如金属液直接定氧传感器、高温炉燃烧控制 ×5 0×50ram。,每种斌样取三个弹,测量结果 氧传感器、高温燃料电池等。在有些环境极为 取其平均值。 恶劣(如温度高、温度变化剧烈等)的条件下应 试样的表面经砂纸研磨,c。≯03粉抛光.用 用,对Y203一Z102陶瓷材料的性能要求严 HVA一10A维氏硬度计测定维氏硬度,施加载 格 。如要制备优质长寿命高温炉窑燃烧控 荷为5千克,每个试样测7个压痕点,在光学显 制氧传感器,重要的基础是获得性能稳定可靠 微镜下观察压痕图象并测量裂纹长度。断裂韧 性KIc利用Hasselman等修正的EvⅫs和 的Y203一zr02固体电解质材料。因此,研究 Charles的公式计算‘¨。 制备高性能的Y203~ZK)z固体电解质材料有 利用Pw~17()0x光衍射仪测定试样x光 着重要的应用价值。本文研究了Y,Q—ZrOz 衍射谱,测定条件为CuKd辐射,40kv/40rn,A。 陶瓷材料在不同温度下的烧结特性以及显微组 采用文献[6]的方法进行x光衍射定避相分 织和相比例、断裂韧性等性能,并分析了Ⅵ队 析,确定烧结样的相比例。 一ZrCh的断裂韧性与相组织的关系。 烧结试样密度由比重瓶测定。 烧结试样冲击断裂横截面,表颢真宅喷镀 2.实验方法 C导电屡,在JXA~50A扫描电子显微镜下观 Y203一zr02固体电解质中Y2q台量为 察显微结构。 6t001%。共沉淀法制得Y2q—Z她陶瓷粉 末l“,将其置人模具中,在30MPa下压制成试 3,实验结果及讨论 样坯体。 氧化钇部分稳定氧化错在不同温度(1200 烧结是在MoSi2炉中进行,温度由Eu一25 ~j600℃)下烧结,随着烧结温度提高,烧结试 程序控温仪控制,烧结温度从1200(2~ 样的密度增大。图t给出r在1200G~ t内蒙古自抬区自然科学基金资叻研究项目 ——108—— 硅酸盐通报1997年增刊 结温度的提高,其内部颗粒之间的表面接触发 展为颗粒连接产生烧结颈、孔隙封闭且为圆滑 的7L洞,形成致密的烧结体。但过高的烧结温 冀 度会使晶粒长大L4』,导致许多气孔离开晶界而 、 越 形成孤立状态,使气孔和晶界问的扩散距离变 档 靛 大,从而降低陶瓷材料致密化的速率。 罂 表1 V203一Zr02陶瓷材料的力学性能 烧结温度 抗弯强度 断裂韧性 样号 ℃ (MPa) KIt(MPa·n1J。) l 1200 203 2 5 69 2 1300 22l l 7 13 T/×100℃ 3 1400 329 4 6 23 4 1500 367 7 6 22 图i Y203一zrq的密度随烧结温度的变化 5 1600 436 5 5 6I 1600℃下烧结3小时,氧化钇部分稳定氧化锆 表2 6ra01%Y203一Zrq陶瓷材料的相比例 试样的相对密度。由图1可知,在高于1500(; 的温度下烧结3h后,氧化钇部分稳定氧化锆试 样号 烧结温度 立方相 相比例(%) 单斜相 ℃ 四方相 样的密度达到了理论密度的95.8%。低于 2 1300 0 67 0,33 0 1500℃烧结时,试样密度随温度的升高线性增 3 1400 0.55 0 41 0.04 大;而高于1500℃后,提高烧结温度时,试样烧 , 4 1500 0 52 0 44 0 04 结密度的增加变缓。 5 1600 0.50 0.32 0 18 图2为氧化钇部分稳定氧化锆在不同烧结 温度下显微结构的变化。由图2可见,随着烧 a J200℃ b t400℃ c.1600℃ 图2 Y20s—Zr02的显微组织 表

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