译：Influence of pore volume.doc

孔隙容量对Nd:YAG陶瓷激光性能的影响 现今研究中，掺有1.1%Nd杂质,孔隙容量（150–930 百万分体积)）可控的YAG陶瓷是运用以高纯度粉末为材料的固态反应焊接的。从Fresnel方程中得到的Nd:YAG陶瓷的散射系数，单一得随着孔隙体积的增加而增加。Nd:YAG陶瓷对于CW激光的输出能量很明显与目前研究中所检验的样品的散射系数有关，这个系数相应地会受到孔隙体积的影响。而对于孔隙容量在大约150 百万分体积的Nd:YAG陶瓷，在Czochralski方法下，它的实际散射系数几乎与掺有1.1%Nd杂质的YAG单晶的散射系数相同。激发能量在808-nm激光的激发下增长，但由于适度大量的Nd杂质的添加，Nd:YAG陶瓷的输出能量高于Nd:YAG单晶。Nd:YAG陶瓷的激光性能在孔隙体积的改变下戏剧地变化着。另外，激光性能不会受到多晶Nd:YAG陶瓷中存在的晶界的影响。 介绍 最重要的四能级固态激光器基质，一个YAG(Y3Al5O12)单晶，在波长1.064 1m运用少量正三价Nd离子的荧光性作为活性物质。近年来，掺有Nd杂质的YAG被广泛应用于医学手术 [1–3]，工业生产（如金属加工）[4]和半导体标记中[5, 6]。 从由Greskovich a与 ChernochNd 创造的Nd杂质Y2O3-ThO2多晶陶瓷[7, 8]和由本文作者创造的Nd-杂质YAG陶瓷[9, 10]发射出的固态激光，在氙光及808nm二极管激光照射下都分别成功地发生摆动。虽然Nd:YAG陶瓷的摆动特性与Nd:YAG单晶相等甚至更强，影响束散射的主要因素仍未被确认。 一篇先前的论文报告了邻近晶界的束散射。对于目前的研究，由受颗粒粉末分布控制孔隙容量的Nd :YAG陶瓷是用先前详细描述了的固态反应方法制造的[9, 10]。Nd :YAG陶瓷的束散射是被上述描述的参数控制变化的。激光摆动实验也是被有着各种束散射的Nd :YAG陶瓷的控制下进行的。 实验 目前实验的起始材料是与之前实验[9–14]相同相同的高纯度Al2O3, Y2O3, Nd2O3 粉末（99.99%质量）。样品的制备是首先对起始粉末进行称重以确保在YAG陶瓷中有含量为1.1%的Nd。Al2O3，Y2O3和 Nd2O3粉末混有0.5%质量的TEOS（正硅酸乙酯）作为烧结辅助剂，接着混合物将被高纯度氧化铝珠碾磨12小时。碾磨浆状物由喷雾干燥剂进行干燥。为了改变Nd :YAG陶瓷中的孔隙容量，颗粒状粉末的分布会由调节喷雾干燥器中喷雾器的旋转速度来控制。那些直径在100微米一下的颗粒态球状粉末，被分别以140兆帕的压力压成直径为20毫米的圆盘状。这些粉末状压缩物将在熔炉中以1750摄氏度，真空（1.3*10-3Pa）下进行烧结（模型：WM-5010, Futeck Furnace Inc.,Yokohama, Japan）。制备细节和之前本作者的工作相似。 将被用于测量束散射的10nm直径的圆盘状样品，两面均被磨滑，以承受下述的，一台表面微粗糙度测试设备的平均微粗糙度为2nm的实验（模型：TOPO-3D, WYKO Co.,Tucson, AZ, USA）。每份样品的测试谱在波长400至1000nm的范围内被绘制(模型: U-3500, Hitachi Co., Tokyo, Japan)，其缝隙宽度为0.5nm，扫描速递在120nm/min。 极光特性是使用由808nm二极管激光摆动的振荡器测试的(LD)，这与之前使用的设备[11]相似。直径为10nm，厚度为5nm的样品（每一面都没有防反射涂层）被以平均表面微粗糙度为0.2nm至λ/10（λ=632nm）的平面双面打磨且进行一个并行10s。一个反射镜（100%反射率）和一个半反射镜（98%反射率）在样品的两面平行地烧结。运用Czochralski (CZ)方法制备的0.9%Nd杂质的YAG单晶(Tokin Co., Sendai, Japan)被用作所有测试的光学参考。 Nd :YAG陶瓷及Nd :YAG单晶的束散射（一种光散射损耗）在Sekita et al. [15]的报告中也被计算过。折射率运用了Bond报告中YAG单晶的数据[16]。束散射的计算如下： （1） 上述Fresnel方程的细节已经在之前论文中描述过[11]。 结论 表I给出了本次工作中光学计算的样品规格。所有样品均在1750摄氏度的真空下烧结20h。A1至A4样品，有着不同的喷雾干燥情况（颗粒状粉末的分布不同）分别有着大约150,320,680,及930百万分体积的残余孔隙。由当前系统得到的孔隙容量数据是运用传输显微镜，计算50个区域（每个计算区域约350*500平方微米）统计并导出