氧分压对溅射制备氧化镓薄膜结构及光学带隙的影响-物理学报.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 11 (2014) 116701 氧分压对溅射制备氧化镓薄膜结构 及光学带隙的影响 马海林 苏庆 1)(兰州交通大学, 国家绿色镀膜技术与装备工程技术研究中心, 兰州 730070) 2)(兰州大学, 物理科学与技术学院, 兰州 730000) ( 2013 年11 月17 日收到; 2014 年2 月9 日收到修改稿) 在不同氧分压 ( O Ar O ) 实验条件下, 通过直流反应溅射制备了氧化镓薄膜, 然后在真空环 2 2 境下进行高温再结晶热处理. 用紫外-可见分光光度计(UV-Vis) 研究了氧分压 对光学带隙g 的影响. X 射 线衍射(XRD) 和共聚焦拉曼散射光谱(Raman Scattering) 分析显示: 经900 C 高温热处理后, 薄膜呈结晶 相氧化镓, 且晶粒尺寸随着氧分压的逐渐增加而变大. 室温下由UV-Vis 测试薄膜透过率并利用Tauc 公式计 算得到样品的光学带隙g 在4.68—4.85 eV 之间, 且随氧分压 的逐渐增加而变大. 关键词: 氧化镓, 光学带隙, 磁控溅射 PACS: 67.25.dp, 68.47.Gh, 71.20.Eh DOI: 10.7498/aps.63.116701 本文用直流磁控溅射结合高温热处理方法制 1 引 言 备结晶型氧化镓薄膜. 严格控制靶材直径和厚度比 来满足超低熔点金属镓靶的特殊溅射需求. 研究了 氧化镓(Ga O ) 是一种直接宽带隙氧化物半 氧分压对溅射制备氧化镓薄膜的结构及光学带隙 导体材料(g eV) 1 , 它有, , , 和 等 的影响. 多种形态, 其中以六方结构的 相和单斜结构的 相最为常见, 相也是氧化镓唯一在高温下稳定的 2 实验方法 2 形态 . 由于氧化镓耐高温且热稳定性好可用做耐 34 热型薄膜气敏传感器 . 另外, 宽的带隙广泛应 实验中, 用三组20 mm 10 mm2 mm 的石英 用于深紫外透明窗口材料, 半导体氧化镓的光学禁 玻璃和10 mm10 mm 的单晶硅片n-Si (100) 作为 带宽度对波长小于285 nm 的辐射敏感, 可用做日 制备薄膜基片以满足不同的测试条件. 将硅片置于 盲型紫外探测器等紫外光电器件57 . 5% 的氢氟酸溶液中(HF)浸泡5 min, 以去除表面 已有研究用溶胶-凝胶(sol-gel) 8 、化学气相 氧化层, 同时把石英玻璃放在体积比为 的硫 9 8 沉积(CVD) 、喷雾热解 以及射频磁控溅射 酸溶液(H SO :H O 去离子水) 中清洗5 min 至清 (RFMS) 10 、分子束外延(MBE) 11 等方法制备过 澈透明; 然后将二者依次用丙酮、乙醇和去离子水 氧化镓薄膜, 但制备样品薄膜缺陷多且多为非晶 分别超声波清洗10 min, 最后放置于真空系统中干 型. 在我们之前的研究中1215 , 虽然用热蒸发 燥. 由于金属镓(Ga) 的熔点只有29 C, 但沸点在 CVD 法成功合成了尺度可控的单晶氧化镓纳米材